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PG3000RMII 薄晶圓研磨與濕拋光

Tokyo Seimitsu (ACCRETECH) · 製程設備與溫度控制

方案用途
薄晶圓評估需要分段比較背磨損傷、拋光去除與後續搬送,找出裂片風險。
技術方式
PG3000RMII 整合研磨與濕式拋光,搭配薄化專用的搬送、切割膠帶貼合及保護膜去除。
適用範圍
可作薄晶圓背面加工流程候選;材料、尺寸、目標厚度與支撐/貼膜配置須由原廠確認。
限制與待確認事項

以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議,並非原廠保證或必備資料清單。

適用邊界

加工介紹不代表實際試片無損傷或不裂片。量測、TTV 修正及串接製程依配置而異,不能假設全部標準配備。

評估準備

BLNKK 建議整理疊層與支撐、各段厚度/TTV、研磨損傷與粗糙度、拋光條件,以及分段破片記錄。

向供應商確認

確認研磨/拋光耗材、搬送與貼膜相容性、所需選配及量測方法,討論剩餘損傷、強度與下游取晶驗證。

公開依據
官方型錄說明從研磨到拋光的損傷/應力去除目的,並另外列出 NCIG、Auto-TTV 與其他選項。

聯絡供應商

查看公司聯絡資訊,透過官方管道詢問此方案。

相關工程問題

以下連結來自已建立的方案關係,可接續查看工程條件與評估準備。

資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案;方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。