MA12 Gen3 封裝光阻曝光與對位
SUSS MicroTec · 製程設備與溫度控制
- 方案用途
- 比較凸點形成前的光阻圖案曝光與對準條件，支援後續高度差異評估。
- 技術方式
- 以光罩對準、劑量控制及即時間隙調平進行曝光，依配置選擇接觸或近接模式。
- 適用範圍
- 可評估 300 mm 以下晶圓的封裝光阻圖案；光阻、光學與承載工具需匹配。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界曝光能力不能證明電鍍凸點高度一致；特殊光學與工具配置也不代表全部標配。
評估準備BLNKK 建議準備光阻及厚度、光罩／開口、曝光與顯影條件、晶圓形貌及後續電鍍高度資料。
向供應商確認確認曝光／對準模式、光學與承載配置、可處理的厚度／翹曲，以及圖案和下游結果的驗證。
- 公開依據
- MA12 Gen3 官方頁說明曝光／對準、劑量與間隙控制，以及翹曲晶圓工具。
聯絡供應商
查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。
相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。