DXR3 TSV 周邊矽 Raman 光譜比較
Thermo Fisher Scientific · 工程量測與特性分析
- 方案用途
- 比較可光學存取的 TSV 周邊矽區光譜，補充局部應變評估。
- 技術方式
- DXR3 以共焦拉曼收集矽的光譜；峰位變化可提供應變線索，須區分溫度與材料影響。
- 適用範圍
- 可評估有可用矽訊號的目標區域；光學存取、參考樣品與應力換算須個別驗證。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界公開矽案例不等於 DXR3 已驗證的 TSV 應力規格或禁置區判定；不能承諾任意埋藏區域的量測。
評估準備BLNKK 建議整理矽晶向、覆蓋層、目標位置、熱履歷及低應變參考，記錄雷射條件以檢查加熱影響。
向供應商確認確認波長／光學存取、峰位校正、空間取樣、應力換算模型，以及實際 TSV 樣品的驗證方式。
- 公開依據
- 2024 年 11 月應用筆記介紹矽分析並列出 DXR3／DXR3xi；具名應變影像案例使用 DXR3xi。
補充參考資料
聯絡供應商
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相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。