Helios 5 PFIB-SEM 先進封裝大面積截面與失效分析
埋藏互連與材料介面的異常需要精準截面才能進一步確認；封裝內的分析位置與製樣方式會影響可取得的證據。
Thermo Fisher Scientific
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- Helios 5 PFIB-SEM 先進封裝大面積截面與失效分析 · 可靠度驗證與失效分析
- ELITE lock-in thermography 封裝內電性故障 3D 定位 · 可靠度驗證與失效分析
應用範圍: 2.5D／3D／hybrid bond／microbump／TSV · 2.5D／3D IC／TSV／stacked die／board · 接點 IMC／金屬化薄片 · 可接近的 TSV 周邊矽 · 臨時接合／脫載殘留
目錄中的方案 · 5
ELITE lock-in thermography 封裝內電性故障 3D 定位
封裝、晶粒或電路板內的短路、漏電等異常可能先表現為局部發熱，需要定位後再決定是否解封或切片分析。
Talos F200X G2 接點薄片成像與元素分析
檢查已定位焊點的金屬間化合物（IMC）層與元素分布，補充局部失效判讀。
DXR3 TSV 周邊矽 Raman 光譜比較
比較可光學存取的 TSV 周邊矽區光譜，補充局部應變評估。
Nicolet iN10 MX 脫載殘留紅外分析
脫載後清潔評估需要先辨識殘留的化學成分與分布，區分原始膠材和表面污染。
工程問題中的候選方案
以下候選方案已收錄於工程問題流程，可接續查看條件、來源與比較內容。
公開來源
- 產品資料：Helios 5 PFIB-SEM 先進封裝大面積截面與失效分析
- 公開資料：TFS-Assets/MSD/Reference-Materials/innovative-failure-analysis-solutions-for-advanced-packaging-wp.pdf
- 技術資料：Helios 5 PFIB CXe DualBeam 資料表 (PDF)
- 公開資料：mt/en/home/electron-microscopy/products/electrical-failure-analysis-systems/elite.html.html
- 技術資料：ELITE System：非破壞 3D 電性故障定位資料表 (PDF)
- 技術資料：寬能隙功率 MOSFET 的電性到實體失效分析流程 (PDF)
- 產品資料：Talos F200X G2 接點薄片成像與元素分析
- 產品資料：DXR3 TSV 周邊矽 Raman 光譜比較
- 產品資料：Nicolet iN10 MX 脫載殘留紅外分析
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