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Helios 5 PFIB-SEM 先進封裝大面積截面與失效分析

Thermo Fisher Scientific · 可靠度驗證與失效分析

方案用途
埋藏互連與材料介面的異常需要精準截面才能進一步確認;封裝內的分析位置與製樣方式會影響可取得的證據。
技術方式
以氙電漿聚焦離子束切削指定區域,搭配 SEM 觀察截面;可依配置進行大型截面、3D 分析與 TEM 薄片製備。
適用範圍
用於先進 3D 封裝及互連材料的局部結構/失效分析;可在電性、熱或其他影像定位後,針對目標區域製樣。
限制與待確認事項

以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議,並非原廠保證或必備資料清單。

適用邊界

切削會改變樣品,分析亦限於取樣區域;需評估製樣痕跡與材料反應,單張截面影像不足以證明失效原因。

評估準備

BLNKK 建議準備失效位置、封裝堆疊與材料、既有電性/影像結果、目標截面方向及可接受的破壞範圍。

向供應商確認

請確認適用機型與選配、目標區域的定位/製樣流程、材料與尺寸相容性,以及需要的 SEM、3D 或 TEM 分析。

公開依據
原廠 Helios 5 PFIB 頁面與 CXe 資料表明列氙離子源、大面積截面與無鎵 TEM 製樣;專用資料表標示 2020 年版本。

補充參考資料

聯絡供應商

查看公司聯絡資訊,透過官方管道詢問此方案。

相關工程問題

以下連結來自已建立的方案關係,可接續查看工程條件與評估準備。

資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案;方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。