JIB-PS500i 指定接點 FIB 取樣
JEOL · 工程量測與失效分析
- 方案用途
- 從已定位的疑似開路接點製備局部截面或薄片，補充介面失效證據。
- 技術方式
- JIB-PS500i 以 Ga 聚焦離子束銑削，結合 SEM 觀察製樣位置與進度；取出／自動薄片製備依選配確認。
- 適用範圍
- 可評估能裝入腔體、固定與定位的樣品；須先以電性等方法界定目標接點並保留原始證據。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界破壞性局部製樣可能引入離子損傷或再沉積；薄片本身不證明開路原因，也不能代表所有接點。
評估準備BLNKK 建議整理電性失效座標、疊層／金屬、取樣方向、前置影像與對照樣品，規劃保護及取樣順序。
向供應商確認確認腔體／固定、取樣與轉移選配、離子損傷控制，以及後續 TEM／EDS 或其他分析的配置與責任。
- 公開依據
- 官方具名頁列出 FIB／SEM 與薄片製備功能，明確區分選配取樣、自動化及 EDS。
聯絡供應商
查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。
相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。