TOK PMER P-BK 凸塊電鍍光阻
Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. · 材料參數與介面設計
- 方案用途
- 比較凸塊高度均勻性時，需要把光阻膜厚、開口形貌與電鍍條件一起核對。
- 技術方式
- PMER P-BK 是正型厚膜光阻，形成銅柱與微凸塊電鍍的圖形模具，原廠列出 Cu／Ni／SnAg 連續電鍍用途。
- 適用範圍
- 用於凸塊成形流程；牌號與膜厚、底層、曝光／顯影及鍍浴需配合實際布局與目標高度。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界光阻形貌不能保證鍍後高度均勻；公開製程示例也不是每種鍍浴的通用配方。材料不能修復已成形的凸塊。
評估準備BLNKK 建議整理目標凸塊幾何、布局密度、膜厚／開口量測、曝光顯影歷程、鍍浴與電流條件及現有高度分布。
向供應商確認確認 P-BK 牌號、可用膜厚、底層附著、曝光顯影與鍍浴相容性，以及去光阻方式和試片的高度／殘留驗收。
- 公開依據
- 官方具名 P-BK 段落列出正型、20–65 µm 膜厚範圍及製程示例；本案樣品的鍍後高度仍需量測。
聯絡供應商
查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。
相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。