TOK PMER P-BK 凸塊電鍍光阻
比較凸塊高度均勻性時,需要把光阻膜厚、開口形貌與電鍍條件一起核對。
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應用範圍: 凸塊成形/光阻開口比較 · 雷射切割疊層/保護膜比較 · 可接觸殘留/去光阻化學比較 · TSV 上游蝕刻側壁製程比較
比較凸塊高度均勻性時,需要把光阻膜厚、開口形貌與電鍍條件一起核對。
雷射加工的表面污染與損傷比較,需要把保護塗層及移除流程列為製程變因。
比較接觸電阻與光阻殘留的關係時,需先確認殘留可接觸且確屬去光阻流程的處理範圍。
在 TSV 襯層漏電研究中比較上游深矽蝕刻遮罩,先釐清側壁形貌與殘留,再檢查後續介電層覆蓋。
以下候選方案已收錄於工程問題流程,可接續查看條件、來源與比較內容。
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表單由台灣東應化受理,可選「半導體材料(後段)」等產品詢問;中國與美國另有地區電話窗口。日本官網的全球產品表單本次無法安全讀取,台灣表單不代表全球統一窗口。 官方來源 ↗
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