TOK PMER P-CY1000 深矽蝕刻光阻
Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. · 材料參數與介面設計
- 方案用途
- 在 TSV 襯層漏電研究中比較上游深矽蝕刻遮罩，先釐清側壁形貌與殘留，再檢查後續介電層覆蓋。
- 技術方式
- 以厚膜正型光阻定義深矽蝕刻圖形；P-CY1000 的公開特性著重低溫蝕刻時的光阻抗裂。
- 適用範圍
- 公開用途涵蓋 MEMS／TSV 深矽蝕刻；需依實際孔形、遮罩厚度與 Bosch／非 Bosch 流程確認牌號和條件。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界光阻抗裂不能單獨證明側壁平整、襯層連續或漏電合格，也不能修復已有漏電的 TSV。頁面示例條件不能當成所有孔形的製程窗口。
評估準備BLNKK 建議準備孔徑／深度、光阻厚度與圖形、蝕刻化學及溫度履歷。保留去膠後側壁／殘留影像，若有襯層截面和漏電位置，可用於前後對照。
向供應商確認確認遮罩與蝕刻條件、抗裂示例的適用範圍及去膠方式。再約定側壁、殘留與後續襯層覆蓋的檢查，漏電仍需獨立電性驗證。
- 公開依據
- TOK 的具名產品頁說明 P-CY1000 深蝕刻用途及低溫抗裂示例，未提供特定 TSV 襯層覆蓋或漏電的驗證結果。
聯絡供應商
查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。
相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。