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TOK ST-120 厚膜去光阻液

Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. · 材料參數與介面設計

方案用途
比較接觸電阻與光阻殘留的關係時,需先確認殘留可接觸且確屬去光阻流程的處理範圍。
技術方式
ST-120 以化學液去除厚膜光阻並允許後續水洗;原廠強調低金屬損傷。
適用範圍
用於可接觸的正型/負型厚膜光阻移除比較;實際樹脂、熱史與金屬/介電疊層需驗證相容性。
限制與待確認事項

以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議,並非原廠保證或必備資料清單。

適用邊界

不能打開埋藏介面或修復已形成的接觸;低金屬損傷不代表零腐蝕,示範條件也不適用所有光阻與疊層。

評估準備

BLNKK 建議整理光阻牌號與熱歷程、殘留位置、金屬/介電材料、現有浸泡水洗流程及殘留與接觸電阻基準。

向供應商確認

確認適用光阻、液體使用與換液條件、溫度/時間及水洗流程,並約定殘留、金屬損傷和電性對照的判定方式。

公開依據
官方 ST-120 段落與表格說明去光阻及水洗用途,未提供本 RDL 的殘留、腐蝕或接觸電阻結果。

聯絡供應商

查看公司聯絡資訊,透過官方管道詢問此方案。

相關工程問題

以下連結來自已建立的方案關係,可接續查看工程條件與評估準備。

資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案;方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。