BATCHSPRAY Acid RDL 種子層／阻障層濕蝕刻
siconnex customized solutions GmbH · 封裝製程與工程驗證
- 方案用途
- 用於比較 RDL 電鍍後種子層與阻障層的濕蝕刻，處理線間殘留導電金屬與過度蝕刻造成的側蝕取捨。
- 技術方式
- 晶圓批次旋轉並接受化學液噴淋，搭配槽式循環控制溫度與濃度；金屬蝕刻可使用光學反射終點偵測。
- 適用範圍
- 適用方向為電鍍後 RDL 金屬去除；金屬疊構、介電層相容性與線寬／線距仍需以指定化學液和試片確認。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界均勻性與終點偵測不能單獨證明線間已絕緣，也不能保證沒有側蝕。原廠家族文章的性能數字不能直接視為本機對所有材料與版圖的規格。
評估準備BLNKK 建議準備金屬疊構與厚度、線寬／線距、介電材料及現行蝕刻履歷。若已有殘留影像、線損失或初始短路位置，可用於安排同位置對照。
向供應商確認確認各金屬的化學液與選擇性、終點訊號如何對應清除狀態，以及循環液管理與過蝕刻控制。以實片核對線間殘留、尺寸損失和電性。
- 公開依據
- Acid Autoload 產品頁說明設備與終點偵測；Siconnex 的技術文另說明 RDL 種子層／阻障層去除及殘留、側蝕問題。兩者未提供你的版圖驗證結果。
補充參考資料
聯絡供應商
查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。
相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。