先進封裝多技術失效分析與可靠度驗證
MA-tek · 可靠度驗證與失效分析
- 方案用途
- 封裝在回焊、溫度循環或使用後出現分層、裂紋、空洞與電性異常時，需要定位失效區域，再判斷結構或材料變化是否與異常相關。
- 技術方式
- 可依案件選用 X-ray／XCT 與 SAM／SAT 進行非破壞定位，再以 FIB 截面、SEM／TEM／STEM 及 EDS 調查局部結構和成分；可靠度試驗可配合前後狀態比較。
- 適用範圍
- 原廠服務涵蓋封裝結構、內部缺陷、介面與材料差異，以及回焊或可靠度試驗前後分析。特定先進封裝的可觀察位置與試驗方式需由實驗室確認。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界缺陷影像或成分差異不一定能單獨確定根因。SAT 的穿透與辨識能力需按樣品選擇，水耦合和破壞性製樣是否可接受也需先確認。
評估準備BLNKK 建議整理異常現象、封裝結構與疑似位置、吸濕／回焊／溫循歷程，以及良品對照和既有電性或影像資料，並列出可接受的製樣方式。
向供應商確認請確認分析順序、樣品數與耗損、目標介面的可觀察性，以及試驗條件、判定依據和原始資料／報告交付範圍；也請確認承接實驗室。
- 公開依據
- IC 封裝服務頁列出非破壞檢測、截面與材料分析，及 TC、HAST、HTS 等試驗；SAT 頁說明分層、空洞和裂紋的聲學檢測方式，屬服務範圍證據。
補充參考資料
聯絡供應商
查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。
相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。