WaferBOND HT-10.11 超薄晶圓暫時接合材料
Brewer Science · 材料參數與介面設計
- 方案用途
- 晶圓薄化、TSV 露出與背面 RDL 製程需要暫時載板支撐，並在加工後安全釋放。此材料用於超薄晶圓的暫時接合，協助規劃支撐與解鍵合流程。
- 技術方式
- 將有機塗層施加於元件晶圓或載板，再接合形成支撐堆疊。HT-10.11 公開接合溫度為 130–180°C；熱滑移、化學、機械與雷射解鍵合各有相應的載板或釋放材料條件。 原廠另列出需無機吸光層的光脈衝解鍵合路徑。
- 適用範圍
- 原廠列出低於 75 µm 的薄晶圓、MEMS、3D WLP、TSV 露出與 RDL 應用，塗層厚度為 20–130 µm。產品頁列示最高 250°C 的熱穩定性，實際熱與化學歷程仍需確認。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界化學解鍵合需穿孔載板或切割後的小晶粒提供溶劑通路；機械或雷射釋放需相容的釋放材料。產品耐溫不代表所有配套流程均可採相同條件，也不保證低翹曲或無殘膠。 光脈衝釋放另需無機吸光層及相容載板。
評估準備BLNKK 建議準備目標晶圓厚度、表面結構、載板材質、塗層厚度和完整熱／化學歷程。補充預定釋放方式及裂紋、殘膠、平整度的驗收方式，便於規劃樣品驗證。
向供應商確認確認 HT-10.11 的現行供應與建議加工窗口、載板／釋放層組合，以及接合、解鍵合和清洗設備相容性。請供應商針對實際製程說明熱預算、溶劑及殘留控制的驗證方法。
- 公開依據
- 具名產品頁公開塗層厚度、接合溫度、熱解鍵合溫度與熱穩定性；解鍵合頁則列出 HT-10.11 在不同釋放路徑中的配套條件。這些資料尚非使用者堆疊的破片、殘膠或翹曲驗證。
補充參考資料
聯絡供應商
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相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。