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RDL 除膠與乾式蝕刻製程方案

友威 UVAT · 製程設備與窗口控制

研究候選・適用條件待確認

官方搜尋索引;原頁與規格仍需確認。

研究查核日期: 2026-10-15
方案用途
候選工程用途:【RDL 層間接觸初始高電阻】比較通孔底部清潔、金屬種子層與初始接觸。
技術方式
來源尚未提供完整機制或製程細節,請向供應商確認。
適用範圍
候選工程用途:【RDL 層間接觸初始高電阻】比較通孔底部清潔、金屬種子層與初始接觸。
限制與待確認事項
【RDL 層間接觸初始高電阻】清洗/除膠須確認介電材料及金屬損傷;需 Kelvin 或鏈式電阻驗證。 需由供應商確認樣品、規格及承作條件;未驗證改善效果。
公開依據
官方來源列出「RDL 除膠與乾式蝕刻製程方案」。
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補充參考資料

聯絡供應商

查看公司聯絡資訊,透過官方管道詢問此方案。

候選用途與工程問題

RDL 層間接觸初始高電阻

比較通孔底部清潔、金屬種子層與初始接觸。

清洗/除膠須確認介電材料及金屬損傷;需 Kelvin 或鏈式電阻驗證。

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資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案;方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。