mAgic DA295A 低溫無壓銀燒結 die attach
Heraeus Electronics · 材料參數與介面設計
- 方案用途
- 高功率元件的晶粒接合層需要兼顧導熱、導電與可靠度。此方案提供無壓銀燒結材料，用於比較接合材料與燒結製程窗口。
- 技術方式
- 以微米銀配方點膠、晶粒接合及無壓燒結，形成銀接合層。原廠列示 200°C 以上、空氣或 N₂ 氣氛的加工條件，實際曲線依應用調整。
- 適用範圍
- 原廠列出 RF 功率放大器、MOSFET、二極體與閘流體等用途，產品資料列示 Ag／Au 接合表面。晶粒尺寸、鍍層和接合層厚度須依實際堆疊確認。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界公開相容表面為 Ag／Au，其他鍍層與晶粒尺寸需另行確認。無壓不等於無應力；200°C 以上的加工描述也不提供所有樣品通用的乾燥、保溫或升降溫曲線。
評估準備BLNKK 建議準備晶粒尺寸、背面與基板鍍層、接合層厚度、點膠／乾燥／燒結歷程，以及目標熱與電性。提供空洞、剪切或熱循環對照結果，便於規劃樣品驗證。
向供應商確認確認現行材料資料與供應狀態、尺寸及表面適用範圍，以及空氣／N₂ 的建議製程曲線。另確認保存、開封使用、清洗需求與接點可靠度驗證條件。
- 公開依據
- 產品頁與資料表公開無壓製程、加工溫度、表面相容性及燒結後的熱／電性資料。這些是供應商資料，不代表使用者樣品必然無空洞或達到相同接點可靠度。
補充參考資料
聯絡供應商
查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。
相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。