薄晶圓臨時鍵合與低應力解鍵合
晶圓薄化、背面加工與 fan-out 重組晶圓容易因剛性不足而翹曲、破片或無法穩定搬運，需要臨時載體支撐。
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EV Group
能力與應用
製程設備與溫度控制、封裝結構與變形補償、可靠度驗證與失效分析、材料參數與介面設計
製程設備與溫度控制封裝結構與變形補償可靠度驗證與失效分析材料參數與介面設計
01
相關方案
GEMINI FB XT 300 mm fusion／hybrid wafer bonding
3D IC 與記憶體堆疊需要在 300 mm 晶圓上控制清洗、活化、face-to-face 對位、接合與 post-bond overlay，避免熱失配和形貌偏差造成接合缺陷。
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EVG 320 D2W 混合鍵合前清洗與表面活化
direct-placement die-to-wafer hybrid bonding 在放置前需要潔淨、可接合的 die 與 wafer 表面；particles、organic residue 或活化不一致會降低 bond yield 與界面可靠度。
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02
相關問題
使用 EV Group 薄晶圓臨時鍵合與解鍵合流程時，應如何追蹤鍵合、薄化、解鍵合各階段的 bow 變化，並區分膠材、載板與製程應力？
導入 EVG GEMINI FB XT 進行 300 mm fusion／hybrid bonding 時，wafer bow、nanotopography、Cu dishing／protrusion 與顆粒應設定哪些入料門檻，並如何驗證它們和 void／接合良率的關係？
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