SABRE 3D 先進封裝電化學沉積平台
在 TSV、RDL、Cu pillar、UBM 與 microbump 電鍍中,同時控制填孔完整性、wafer/die 內均勻性、共平面度、缺陷與高沉積速率,降低後續 CMP、接合與可靠度風險。
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能力與應用
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在 TSV、RDL、Cu pillar、UBM 與 microbump 電鍍中,同時控制填孔完整性、wafer/die 內均勻性、共平面度、缺陷與高沉積速率,降低後續 CMP、接合與可靠度風險。
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