Simcenter 3D 熱—結構耦合模擬
預測封裝在製程與操作溫度歷程中的溫度場、熱變形、界面應力與非線性材料反應,並比較設計或材料方案。
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能力與應用
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預測封裝在製程與操作溫度歷程中的溫度場、熱變形、界面應力與非線性材料反應,並比較設計或材料方案。
官方網站 ↗功率模組在反覆通斷與接面溫度擺動下,會逐步出現 die attach、焊層、打線或熱介面劣化;只看最終失效時間難以判斷劣化位置與過程。
官方網站 ↗在 3D IC/chiplet 的 tapeout 或製造前,評估封裝製程與操作溫度造成的 package-to-die stress、warpage、crack 風險,以及局部應力對 transistor mobility 的影響。
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