Helios 5 PFIB-SEM 先進封裝大面積截面與失效分析
2.5D/3D 封裝中的 buried interconnect、材料界面與大型缺陷難以用傳統 Ga FIB 快速暴露,且取樣損傷可能掩蓋真實裂縫或 delamination。
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能力與應用
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2.5D/3D 封裝中的 buried interconnect、材料界面與大型缺陷難以用傳統 Ga FIB 快速暴露,且取樣損傷可能掩蓋真實裂縫或 delamination。
官方網站 ↗2.5D/3D package、stacked die、TSV 與高密度 substrate 的 short、leakage、resistive open 或局部異常發熱可能藏在封裝內部,直接開封容易破坏證據。
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