接合后 pad overlay 测量
先补可见层与标记到 pad 校准。
待确认事项 · 01
比较方案
比较各方案的用途、所需数据与限制。
针对「混合键合焊盘错位与电性开路」，先了解每个方案能回答什么，再安排验证顺序。
目前比较0个方案在这一页直接选择 2–3 个方案；排列顺序不代表推荐。
查看完整方案信息选择方案
挑选要并排检查的候选
请先选择至少 2 个方案。
查看完整方案信息 →BLNKK 不会预先替你选择，也不会把排列顺序当作推荐。
BLNKK 评估整理
补充工程条件 →下一步
可以先比较用途与限制；补充关键样品条件后，再规划验证。
已选 0 个方案相关条件已确认 0 / 5尚未选择方案；以下根据当前工程问题整理。
优先待确认事项 · 5
01两侧向量与 pad 校准可追溯待确认
接合后两侧 Cu pad／标记是否有同坐标 overlay 向量及标记到 pad 的校准？
需标示可见层、坐标转换与测量不确定度；die 边缘或单侧标记不能直接代表 Cu pad 相对位置。
补充工程条件 →02网络与 pad 位置可对位待确认
03转换与接合履历可比待确认
04双侧图形与局部残差可比待确认
05错位与接合面资料可对照待确认
相关评估路径
评估准备清单
根据相关工程条件整理的讨论准备事项；不代表原厂硬性要求或资料已具备。
- 两侧向量与 pad 校准可追溯
- 网络与 pad 位置可对位
- 转换与接合履历可比
- 双侧图形与局部残差可比
其余 1 项准备资料
- 错位与接合面资料可对照
各方案的专属输入与适用限制，请同时查看上方比较表。
讨论时先问
- 标记到 pad 的校准与测量不确定度是否可追溯？
- open 可定位到哪个网络、die 或单一接点？
- 全域转换后的局部残差如何与双侧图形和接合面分开？
公开参考来源 · 9
- EV Group · EVG40 D2W announcement ↗
查看来源说明与限制
说明同时取得 die／base wafer 标记、接合后 die placement 验证及反馈用途。
2025 制造商 D2W 能力宣告；未证明本 Cu pad 的错位或 open 根因，也不外推 W2W 精度。
- EV Group · GEMINI Series brochure ↗
查看来源说明与限制
列 face-to-face、透明及背面对准选项与接合后 IR alignment verification。
2025 制造商选项；标记位置不等于 Cu pad 位移，需要测量坐标及光学可见性校准，不引入精度数值。
- ASE · Failure Analysis Lab ↗
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列电性定位、非破坏分析及目标截面／FIB、SEM、EDX、XPS 分析能力。
公开服务清单不保证微细 pad／TSV／残膜尺度检出或化学鉴别；取样与承接另确认。
- Bruker · AN5001 Surface Metrology for Hybrid Bonding ↗
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AFM 检查局部 Cu recess／roughness；AFP 观察较大面积形貌，局部测量和长尺度不均匀须分开。
2025 应用资料；不套其 roughness／recess 数值，AFM 小视野不能代表全片颗粒覆盖，也不直接授予接合放行。
- EV Group · EVG40 D2W 键合后 overlay 测量 ↗
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官网和完整产品单页明确说明键合后测量及模型反馈。原厂设计支持全 die 检测，但实际覆盖率／速度仍受样品和配置影响。
适用边界 标记可见才能得到有效 overlay 结果，不能一概假设埋藏标记可测。套刻合格不代表 Cu 导通、键合强度或无空洞；各项规格也不一定同时适用。 评估准备 BLNKK 建议准备标记设计、die map、层结构、键合前后位置数据及工艺历程，规划重复性、测量覆盖率与其他接点证据的对照。 向供应商确认 确认样品的光学可达性、所需双焦点／IR 配置及测量条件，讨论精度、节拍、模型参数和数据导出。另确认反馈如何接入现有键合设备。
- SET Corporation · NEO HB 室温直接／混合接合 ↗
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SET 产品页介绍键合流程、闭环及键合后精度，并区分独立和全自动模式。
适用边界 公开设备精度不等于实际套刻分布或电气良率。室温键合也不能推定所有材料无需退火或表面预处理。 评估准备 BLNKK 建议整理对准标记、芯粒／晶圆变形、表面准备状态、放置与键合后套刻，以及热处理历程。 向供应商确认 确认精度定义、样品和模式、夹持与对准方法、表面及热处理流程，并讨论套刻与键合／电气验证。
- Besi · Datacon 8800 CHAMEO ultra plus AC 混合键合 ↗
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Besi 产品页列出 ISO3 工作区、100 nm（3σ、GOG 最差角落）对准规格及最高 2,000 CPH 的干循环节拍，并提供客户材料演示。这些带条件的规格不能直接代表完整工艺产能或键合良率。
适用边界 公开对准规格和干循环节拍不能作为实际键合良率或端到端产能保证。表面状态、颗粒、翘曲、对准标记和上游工艺需与设备配置共同验证。 评估准备 BLNKK 建议整理晶圆／芯片尺寸与厚度、键合焊盘布局、表面和翘曲测量、对准标记及前处理流程。明确质量、产能与洁净度目标，供样品试作讨论。 向供应商确认 请 Besi 确认材料搬送、芯片顶出、治具和前处理集成的适用配置。可通过厂商样品试作，约定对准、键合质量、污染及实际节拍的验证方式。
- EV Group · GEMINI FB XT 300 mm 熔合／混合晶圆键合 ↗
查看来源说明与限制
当前设备资料给出 NT3 小于 50 nm 的晶圆对准精度。2017 年 Leti 的 300 mm、1 µm 接点间距混合键合研究示范使用较早的 SmartView NT，两者不能视为同一版本的验证。
适用边界 设备对准规格不等于键合后的套刻、接点良率或可靠性保证；2017 年结果属于研究示范。厂商也注明规格随配置、工艺和材料而变化。 评估准备 建议整理晶圆尺寸、键合界面和接点间距、表面及翘曲测量、前后处理流程，以及套刻、缺陷和产能目标，以便讨论设备配置和试验。 向供应商确认 确认 NT2／NT3 配置、对准精度的测量定义、预处理和验证模块，以及键合后套刻和缺陷的验收方式。询问实际晶圆试验、工艺窗口和产能评估如何安排。
- Toray Engineering · UC5000 面板级封装键合设备 ↗
查看来源说明与限制
原厂列出三种键合工艺与晶圆／面板搬运。
适用边界 TCB 与混合键合规格不能互相套用，也不能推定最大尺寸、键合力及最佳精度可同时实现。设备精度不等于键合后的对准偏差、电气性能、界面质量或可靠性。 评估准备 BLNKK 建议准备晶圆／面板格式、翘曲及热变形、芯片尺寸、标记和键合材料。整理键合前后坐标与电气／可靠性判定方法。 向供应商确认 确认所选工艺的载台、供料、加热及键合头配置，以及精度测量条件。核对面板夹持、翘曲容限及实际样品的键合后验证。
完整评估记录展开查看完整条件、各路径规则及原始评估说明。
当前判断与下一步
依据自述条件和公开资料整理；可先评估不代表已验证样品适用性或根因。排列顺序不代表最佳方案。
已知条件 · 0
重要的未知条件 · 5
- 接合后两侧 Cu pad／标记是否有同坐标 overlay 向量及标记到 pad 的校准？需标示可见层、坐标转换与测量不确定度；die 边缘或单侧标记不能直接代表 Cu pad 相对位置。
- 开路网络能否对位到 pad 接点及同位置正常对照？daisy-chain 总 open 不等于单一 pad 开路；先记录可存取端点与定位限制。
- 对准转换、接合前后时点及热／夹持履历是否可比？同时保留平移、旋转与测量基准；不同接合时点不能直接当设备补偿。
- 是否有双侧 pad layout、局部尺寸与 wafer／die 位置对照？需要设计到实测转换及局部残差；不能把非刚性局部图形差异只用全域位移补正。
- 同位置的接合面空洞／表面状态是否另有对照？保持错位与非几何未接合两种假设；看见向量不能排除颗粒或局部未接合。
值得评估的路径
接合后 pad overlay 测量
先补可见层与标记到 pad 校准。
- 接合后两侧 Cu pad／标记是否有同坐标 overlay 向量及标记到 pad 的校准？
哪些条件会改变这条路径
- 接合后两侧 Cu pad／标记是否有同坐标 overlay 向量及标记到 pad 的校准？支持先评估: 两侧向量与 pad 校准可追溯 · 目前不适合: 只有 die 边缘／单侧标记
设备对准补偿对照
先补电性定位和同时点设备 trace。
- 接合后两侧 Cu pad／标记是否有同坐标 overlay 向量及标记到 pad 的校准？
- 开路网络能否对位到 pad 接点及同位置正常对照？
- 对准转换、接合前后时点及热／夹持履历是否可比？
哪些条件会改变这条路径
- 接合后两侧 Cu pad／标记是否有同坐标 overlay 向量及标记到 pad 的校准？支持先评估: 两侧向量与 pad 校准可追溯 · 目前不适合: 只有 die 边缘／单侧标记
- 开路网络能否对位到 pad 接点及同位置正常对照？支持先评估: 网络与 pad 位置可对位 · 目前不适合: 只有总 open 未定位
- 对准转换、接合前后时点及热／夹持履历是否可比？支持先评估: 转换与接合履历可比 · 目前不适合: 时点／基准或履历混杂
图形与接合面共同审查
先补双侧图形与接合面对照。
- 接合后两侧 Cu pad／标记是否有同坐标 overlay 向量及标记到 pad 的校准？
- 开路网络能否对位到 pad 接点及同位置正常对照？
- 是否有双侧 pad layout、局部尺寸与 wafer／die 位置对照？
- 同位置的接合面空洞／表面状态是否另有对照？
哪些条件会改变这条路径
- 接合后两侧 Cu pad／标记是否有同坐标 overlay 向量及标记到 pad 的校准？支持先评估: 两侧向量与 pad 校准可追溯 · 目前不适合: 只有 die 边缘／单侧标记
- 开路网络能否对位到 pad 接点及同位置正常对照？支持先评估: 网络与 pad 位置可对位 · 目前不适合: 只有总 open 未定位
- 是否有双侧 pad layout、局部尺寸与 wafer／die 位置对照？支持先评估: 双侧图形与局部残差可比 · 目前不适合: 只有名义 pitch 或设计图
- 同位置的接合面空洞／表面状态是否另有对照？支持先评估: 错位与接合面资料可对照 · 目前不适合: 仅 open、未分几何与表面
接下来先做
尚未提供结果；先补充关键条件，再安排评估。
- 接合后两侧 Cu pad／标记是否有同坐标 overlay 向量及标记到 pad 的校准？
准备这些资料
- 两侧可见层／标记；pad 到标记校准；接合前后同坐标图
- open 网络与可存取端点；正常／异常 pad 对位图；可破坏取样范围
- 接合转换与热／夹持 trace；pad／open 同坐标图；双侧设计实测与表面对照
- 面向异质集成和先进封装的键合后 D2W 结构。标记布局、层结构及红外可达性需要用实际样品确认。
- 原厂列出芯粒对晶圆和芯粒对基板用途；表面状态、几何及后续热处理须按实际叠层确认。
- 面向高密度互连和 3D 集成的混合键合开发及产线导入。公开搬送范围包括 12 英寸目标晶圆及不同芯片尺寸／厚度；实际材料、治具和配置需逐项确认。 pad 间距与芯片／基板标记 键合后偏移图与开路位置
- 厂商列出存储器堆叠、3D SoC、背照式 CMOS 图像传感器及芯片功能分割等晶圆对晶圆用途。300 mm 使用 NT3，200 mm 配置使用 NT2，需分别确认规格。 晶圆尺寸、pad／标记位置图、变形模型与键合后偏移／开路网络
- 面向晶圆及面板级封装。公开载台格式包括 300 mm 晶圆和 515×510／600×600 mm 面板，需按键合配置确认。 提供 hybrid 配置、标记／pad、载台／芯片格式、翘曲热变形与前后坐标。
讨论时先问
- 标记到 pad 的校准与测量不确定度是否可追溯？
- open 可定位到哪个网络、die 或单一接点？
- 全域转换后的局部残差如何与双侧图形和接合面分开？
公开参考来源
EV Group · EVG40 D2W announcement ↗2025 制造商 D2W 能力宣告；未证明本 Cu pad 的错位或 open 根因，也不外推 W2W 精度。
EV Group · GEMINI Series brochure ↗2025 制造商选项；标记位置不等于 Cu pad 位移，需要测量坐标及光学可见性校准，不引入精度数值。
ASE · Failure Analysis Lab ↗公开服务清单不保证微细 pad／TSV／残膜尺度检出或化学鉴别；取样与承接另确认。
Bruker · AN5001 Surface Metrology for Hybrid Bonding ↗2025 应用资料；不套其 roughness／recess 数值，AFM 小视野不能代表全片颗粒覆盖，也不直接授予接合放行。
EV Group · EVG40 D2W 键合后 overlay 测量 ↗适用边界 标记可见才能得到有效 overlay 结果，不能一概假设埋藏标记可测。套刻合格不代表 Cu 导通、键合强度或无空洞；各项规格也不一定同时适用。 评估准备 BLNKK 建议准备标记设计、die map、层结构、键合前后位置数据及工艺历程，规划重复性、测量覆盖率与其他接点证据的对照。 向供应商确认 确认样品的光学可达性、所需双焦点／IR 配置及测量条件，讨论精度、节拍、模型参数和数据导出。另确认反馈如何接入现有键合设备。
SET Corporation · NEO HB 室温直接／混合接合 ↗适用边界 公开设备精度不等于实际套刻分布或电气良率。室温键合也不能推定所有材料无需退火或表面预处理。 评估准备 BLNKK 建议整理对准标记、芯粒／晶圆变形、表面准备状态、放置与键合后套刻，以及热处理历程。 向供应商确认 确认精度定义、样品和模式、夹持与对准方法、表面及热处理流程，并讨论套刻与键合／电气验证。
Besi · Datacon 8800 CHAMEO ultra plus AC 混合键合 ↗适用边界 公开对准规格和干循环节拍不能作为实际键合良率或端到端产能保证。表面状态、颗粒、翘曲、对准标记和上游工艺需与设备配置共同验证。 评估准备 BLNKK 建议整理晶圆／芯片尺寸与厚度、键合焊盘布局、表面和翘曲测量、对准标记及前处理流程。明确质量、产能与洁净度目标，供样品试作讨论。 向供应商确认 请 Besi 确认材料搬送、芯片顶出、治具和前处理集成的适用配置。可通过厂商样品试作，约定对准、键合质量、污染及实际节拍的验证方式。
EV Group · GEMINI FB XT 300 mm 熔合／混合晶圆键合 ↗适用边界 设备对准规格不等于键合后的套刻、接点良率或可靠性保证；2017 年结果属于研究示范。厂商也注明规格随配置、工艺和材料而变化。 评估准备 建议整理晶圆尺寸、键合界面和接点间距、表面及翘曲测量、前后处理流程，以及套刻、缺陷和产能目标，以便讨论设备配置和试验。 向供应商确认 确认 NT2／NT3 配置、对准精度的测量定义、预处理和验证模块，以及键合后套刻和缺陷的验收方式。询问实际晶圆试验、工艺窗口和产能评估如何安排。
Toray Engineering · UC5000 面板级封装键合设备 ↗适用边界 TCB 与混合键合规格不能互相套用，也不能推定最大尺寸、键合力及最佳精度可同时实现。设备精度不等于键合后的对准偏差、电气性能、界面质量或可靠性。 评估准备 BLNKK 建议准备晶圆／面板格式、翘曲及热变形、芯片尺寸、标记和键合材料。整理键合前后坐标与电气／可靠性判定方法。 向供应商确认 确认所选工艺的载台、供料、加热及键合头配置，以及精度测量条件。核对面板夹持、翘曲容限及实际样品的键合后验证。