接合前多尺度形貌／颗粒检查
先补自有窗口、多尺度图和覆盖限制。
比较方案
比较各方案的用途、所需数据与限制。
针对「混合键合前表面接合条件确认」，先了解每个方案能回答什么，再安排验证顺序。
目前比较0个方案在这一页直接选择 2–3 个方案；排列顺序不代表推荐。
查看完整方案信息选择方案
挑选要并排检查的候选
请先选择至少 2 个方案。
查看完整方案信息 →BLNKK 不会预先替你选择，也不会把排列顺序当作推荐。
BLNKK 评估整理
补充工程条件 →下一步
可以先比较用途与限制；补充关键样品条件后，再规划验证。
已选 0 个方案相关条件已确认 0 / 5尚未选择方案；以下根据当前工程问题整理。
优先待确认事项 · 5
01接合前对象与自有窗口明确待确认
02局部与大尺度测量可对位待确认
03覆盖与检出限制可追溯待确认
04化学与等待／环境有对照待确认
05返工前后与下段限制可比待确认
相关评估路径
评估准备清单
根据相关工程条件整理的讨论准备事项；不代表原厂硬性要求或资料已具备。
- 接合前对象与自有窗口明确
- 局部与大尺度测量可对位
- 覆盖与检出限制可追溯
- 化学与等待／环境有对照
其余 1 项准备资料
- 返工前后与下段限制可比
各方案的专属输入与适用限制，请同时查看上方比较表。
讨论时先问
- 自有放行窗口与覆盖范围由谁验证和批准？
- 局部 Cu recess 与长尺度形貌是否同位置可比？
- 清洁活化后暴露与返工如何影响下一站表面？
公开参考来源 · 15
- Bruker · AN5001 Surface Metrology for Hybrid Bonding ↗
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AFM 检查局部 Cu recess／roughness；AFP 观察较大面积形貌，局部测量和长尺度不均匀须分开。
2025 应用资料；不套其 roughness／recess 数值，AFM 小视野不能代表全片颗粒覆盖，也不直接授予接合放行。
- EV Group · EVG320 D2W ↗
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列 D2W 表面清洁、plasma activation 与 carrier／pick-and-place 整合能力。
清洁与活化能力不提供特定表面化学、等待时间或返工窗口；仍需工艺自有验证。
- ASE · Failure Analysis Lab ↗
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列电性定位、非破坏分析及目标截面／FIB、SEM、EDX、XPS 分析能力。
公开服务清单不保证微细 pad／TSV／残膜尺度检出或化学鉴别；取样与承接另确认。
- Bruker · Dimension HPI 纳米表面粗糙度测量 ↗
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标注 ©2019 的 B088 Rev. A0 资料手册明确列出 HPI 的粗糙度、高度／深度及缺陷复查能力。
适用边界 局部 AFM 不直接证明整片洁净度、化学状态或键合合格。探针、扫描范围和环境影响结果；不能将 Pro 的 300 mm 配置套用到 HPI。 评估准备 BLNKK 建议整理材料、样品尺寸／固定方式、目标位置、粗糙度定义和扫描尺寸，并保留前处理及对照样品记录。 向供应商确认 请确认当前供货、HPI 扫描头／样品容量、探针与模式、校准及数据处理，再共同确定采样与验收方法。
- Entegris · PlanarClean 铜表面 CMP 后清洁药水 ↗
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当前产品页和 2018 年的两页数据表说明用途、材料兼容性和清洗参考，并指出可能需要针对应用调整工艺配方。
适用边界 公开资料未证明任意混合键合叠层都可放行。清洗效果不能替代粗糙度、化学状态或活化测量，也不保证能够去除所有残留。 评估准备 BLNKK 建议整理残留鉴定、膜层、稀释、刷洗／漂洗／干燥和等待条件，保留清洗前后表面及腐蚀对比数据。 向供应商确认 索取当前安全及使用／评估文件，确认兼容性、适合本样品的配方、药液输送条件和可用评估数据；不要直接套用公开参考流程。
- Tokyo Electron · CELLESTA-i MD 金属暴露表面清洗及干燥 ↗
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原厂 i MD 正文及比较表列出清洗、湿法刻蚀和 New IPA dry／SMD。
适用边界 公开资料未提供本混合键合叠层的合格配方。原厂低损伤和图形倒塌控制说明，不能替代表面检测及接合试验。 评估准备 BLNKK 建议整理暴露膜层、污染物、表面高低差、粗糙度及氧化容许值，并记录清洗至接合的等待条件。 向供应商确认 确认药液对金属／介电层的相容性、干燥配置，以及颗粒、表面损失、水印和后续接合的验收方法。
- SET Corporation · SET 供应 ONTOS 常压等离子表面准备 ↗
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SET 产品页说明表面处理；2021 年公告确认 OES 制造及 SET 当时在欧洲的供应角色。
适用边界 抑制再次氧化不等于永久保护，CMOS-safe 宣传也不能替代本样品损伤验证。独立设备与 OEM 头的规格及当前供应地区需分别确认。 评估准备 BLNKK 建议整理金属／介电表面、污染与氧化状态、现有气体／暴露条件、等待时间，以及键合与损伤判定标准。 向供应商确认 确认表面及配方兼容性、处理均匀性、再次氧化时间和设备集成条件，并核实当前地区供应及样品试验安排。
- FUJIFILM Electronic Materials · FUJIFILM Clean-100 铜 CMP 后清洗材料 ↗
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官方具名产品列表介绍酸性配方、低铜静态蚀刻率及颗粒／有机残留清洁特性，未列量化条件。
适用边界 一般铜 CMP 用途不代表已通过混合键合前认证。低蚀刻率不等于零铜损耗；清洗也不能修复已有接合空洞或高度差。 评估准备 BLNKK 建议整理叠层、CMP／残留类型、清洗及漂洗干燥条件，并规划铜损耗、粗糙度和残留验证。 向供应商确认 请确认实际材料兼容性、使用浓度／时间、铜表面影响及储存条件，并约定后续接合的清洁度与放行验证。
- Eurofins EAG Laboratories · EAG XPS 接合前表面化学分析 ↗
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EAG 六页服务指南介绍 XPS 原理、清洗／氧化分析及限制，文件修订于 2022 年 12 月。
适用边界 XPS 主要反映最外层表面，不能直接代表埋藏的接合界面或证明接合合格；溅射深度分析会移除材料。 评估准备 BLNKK 建议整理材料、清洗／等待／转移记录、对照样品和目标位置，避免送样污染掩盖原始差异。 向供应商确认 确认样品真空兼容性、分析区域、充电处理、判读方法，以及是否需要深度分析及其影响。
- JSR · JSR CMP 后清洗配方 ↗
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官方页提供颗粒清洗与金属抑制剂的定性说明，未提供可读的特定混合键合验证。
适用边界 公开介绍不保证全部残留去除、无腐蚀或混合键合合格；清洗也不能处理已埋入的接合空洞。 评估准备 BLNKK 建议整理材料、抛光液／残留、刷洗冲洗干燥条件，并规划颗粒、化学残留和粗糙度对照。 向供应商确认 确认具体配方、材料／设备兼容性、清洗窗口、金属表面影响及代表性试片的验证方法。
- DataPhysics Instruments · OCA 表面接触角与润湿性测量 ↗
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官方 OCA 与 dpiMAX 页面公开接触角、表面能和位置测量方法，未提供特定混合键合表面放行标准。
适用边界 接触角或表面能不能单独证明表面洁净、键合强度或良率。不同探测液、测量时点与计算方法的结果不可直接混用，晶圆自动定位也不是所有配置的标配。 评估准备 BLNKK 建议准备表面材料、清洗／活化和保存记录、处理后等待时间及取样位置。固定探测液、滴液量和读数时点，保留原始图像及正常批次对照。 向供应商确认 确认型号／附件、液滴与表面兼容性、轮廓判读和表面能计算方式。约定位置重复性、数据输出及其他分析对照；键合放行条件需另以实件证据建立。
- Park Systems · NX20 接合前局部表面形貌 ↗
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原厂公开半导体、大试样与表面粗糙度用途。
适用边界 局部形貌不能代表全晶圆颗粒覆盖、化学洁净度或键合强度；大样品容量不等于同尺寸连续扫描。 评估准备 BLNKK 建议准备代表性表面、取样位置和工艺历史、粗糙度定义及已有测量，并记录图像处理设置。 向供应商确认 请确认适用探针、校准与重复性、样品固定和环境条件，以及所需模式是否包含在配置中。
- Tokyo Electron · Synapse Si／ZF 300 mm 混合键合与退火前返工流程 ↗
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厂商页面介绍 Si 支持两种永久键合及量产采用，并明确 ZF 的返工发生在键合后、退火前；2026 版产品目录于 2025 年 12 月出版。
适用边界 退火前返工不能保证修复所有空洞或对准异常；适用键合状态、表面和返工次数仍需确认，也不能套用 Z Plus 的清洗规格。 评估准备 BLNKK 建议整理晶圆尺寸、翘曲与 TTV、表面／铜形貌、洁净度、键合与检查流程，以及退火前放行及返工标准。 向供应商确认 请确认 Si／ZF 配置、表面处理和对准条件、可返工状态、解键合后处理及重新键合安排，以及实际试样验证结果。
- Nearfield Instruments · QUADRA 3D 扫描探针表面测量 ↗
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厂商 2024 年公告量产部署；2025 年与 imec 的合作另列混合键合表面测量的扩展开发。
适用边界 表面测量不等于检测键合后埋藏空洞或化学成分；厂商量产声明及研发合作不保证具体叠层已合格。 评估准备 BLNKK 建议准备铜焊盘尺寸和间距、表面材料、目标形貌、CMP／清洗历程、扫描范围及采样计划。 向供应商确认 请确认探针可达性、校准与重复性、可用模式和 ULSA 配置，并索取相近键合表面的验证资料。
- SCREEN Semiconductor Solutions · SU-3400 单片晶圆清洗系统 ↗
查看来源说明与限制
SCREEN 的 SU-3400 官方产品目录和 2022 年 12 月发布资料，分别列明晶圆尺寸、化学液循环与腔室监控功能。
适用边界 已读资料未证明目标混合键合材料已有合格清洗配方，也未确认全部薄晶圆或载板堆叠的搬送能力。其他机型的薄晶圆功能不能移用，清洗本身也不能判断界面失效原因。 评估准备 BLNKK 建议整理 300 mm 晶圆的厚度／翘曲、污染物、暴露材料、允许使用的化学液与表面损伤上限，并准备清洗前后的污染、化学和形貌对照。 向供应商确认 请确认腔室／化学液配置、处理温度、搬送限制、试制条件与清洗验收指标；如用于键合前表面，另行约定清洗后等待时间及后续键合验证。
完整评估记录展开查看完整条件、各路径规则及原始评估说明。
当前判断与下一步
依据自述条件和公开资料整理；可先评估不代表已验证样品适用性或根因。排列顺序不代表最佳方案。
已知条件 · 0
重要的未知条件 · 5
- 是否尚未接合，且有目标堆叠已验证的表面放行规格与抽样范围？公开应用数值不能当本工艺规格；已接合样品只能用来建立后续对照，不能倒作当批放行。
- 局部 Cu recess／roughness 与较大尺度形貌是否可对位？记录视野、pad 密度和 wafer 位置；局部平坦不代表全片没有长尺度偏差。
- 颗粒检查是否有全片／抽样覆盖、检出限制和同位置重查记录？视野不足或未检出不是无颗粒；需按目标接合区设计覆盖，不自行指定通用粒径。
- 清洁／活化后表面化学、等待与环境是否有可比记录？记录测量相对时点与保存；设备完成 activation 不等于所需化学终止态已达成。
- 候选返工是否有同材料、同累积热历史的前后相容性对照？放行、返工或保留由自有规格与权责决定；重洗可能改变 Cu recess 或表面化学。
值得评估的路径
接合前多尺度形貌／颗粒检查
先补自有窗口、多尺度图和覆盖限制。
- 是否尚未接合，且有目标堆叠已验证的表面放行规格与抽样范围？
- 局部 Cu recess／roughness 与较大尺度形貌是否可对位？
- 颗粒检查是否有全片／抽样覆盖、检出限制和同位置重查记录？
哪些条件会改变这条路径
- 是否尚未接合，且有目标堆叠已验证的表面放行规格与抽样范围？支持先评估: 接合前对象与自有窗口明确 · 目前不适合: 已接合或只有通用／未验证规格
- 局部 Cu recess／roughness 与较大尺度形貌是否可对位？支持先评估: 局部与大尺度测量可对位 · 目前不适合: 只有局部 AFM 或单一平均值
- 颗粒检查是否有全片／抽样覆盖、检出限制和同位置重查记录？支持先评估: 覆盖与检出限制可追溯 · 目前不适合: 只有单点无颗粒影像
清洁／活化及等待对照
先补接合前化学及等待／环境记录。
- 是否尚未接合，且有目标堆叠已验证的表面放行规格与抽样范围？
- 清洁／活化后表面化学、等待与环境是否有可比记录？
哪些条件会改变这条路径
- 是否尚未接合，且有目标堆叠已验证的表面放行规格与抽样范围？支持先评估: 接合前对象与自有窗口明确 · 目前不适合: 已接合或只有通用／未验证规格
- 清洁／活化后表面化学、等待与环境是否有可比记录？支持先评估: 化学与等待／环境有对照 · 目前不适合: 只有设备完成讯息
返工与放行证据审查
先补测量覆盖、化学和返工相容对照。
- 是否尚未接合，且有目标堆叠已验证的表面放行规格与抽样范围？
- 局部 Cu recess／roughness 与较大尺度形貌是否可对位？
- 颗粒检查是否有全片／抽样覆盖、检出限制和同位置重查记录？
- 清洁／活化后表面化学、等待与环境是否有可比记录？
- 候选返工是否有同材料、同累积热历史的前后相容性对照？
哪些条件会改变这条路径
- 是否尚未接合，且有目标堆叠已验证的表面放行规格与抽样范围？支持先评估: 接合前对象与自有窗口明确 · 目前不适合: 已接合或只有通用／未验证规格
- 局部 Cu recess／roughness 与较大尺度形貌是否可对位？支持先评估: 局部与大尺度测量可对位 · 目前不适合: 只有局部 AFM 或单一平均值
- 颗粒检查是否有全片／抽样覆盖、检出限制和同位置重查记录？支持先评估: 覆盖与检出限制可追溯 · 目前不适合: 只有单点无颗粒影像
- 清洁／活化后表面化学、等待与环境是否有可比记录？支持先评估: 化学与等待／环境有对照 · 目前不适合: 只有设备完成讯息
- 候选返工是否有同材料、同累积热历史的前后相容性对照？支持先评估: 返工前后与下段限制可比 · 目前不适合: 未验证返工或下段限制
接下来先做
尚未提供结果；先补充关键条件，再安排评估。
- 是否尚未接合，且有目标堆叠已验证的表面放行规格与抽样范围？
准备这些资料
- Cu／介电层局部图；大尺度形貌与取样位置；自有表面规格及覆盖计划
- 接合前化学与等待 trace；正常／异常同材料；carrier 与下段洁净限制
- 自有规格与工艺权责；前后形貌／颗粒／化学；返工累积历史及下段对照
- 适用于探针可达、样品固定和扫描区域已确认的裸露表面；HPI 与 Pro 的样品及扫描配置需分别核对。
- 用于铜 post-CMP 清洗；原厂列出铜与多种介电材料兼容性，实际膜层及残留物仍需核对。
- i MD 的产品资料列出 300 mm 硅晶圆及铜等金属暴露层；接合面叠层需另行确认。
- SET 列出直接键合与粘接前清洗用途；需确认表面材料、气体配方及键合前等待时间。
- 可作为铜 CMP 后清洗候选；实际铜／介电叠层与后续接合流程仍需验证。
- 可评估尚未接合、可送检且适合真空分析的铜／介电表面；接合前用途需与实验室确认。
- 可讨论 CMP 残留清洗；实际金属／介电层、抛光液和接合前流程需确认配方兼容性。
- 适用于能够定位液滴并获得清晰轮廓的表面；晶圆位置测量、自动化和环境控制需按 OCA 型号及附件确认。
- 适合在大尺寸样品的指定区域取样；探针、扫描范围、校准和数据处理应结合实际表面确认。
- 面向 300 mm 晶圆对晶圆的 3D 集成，涵盖图像传感、存储器和逻辑相关应用；不同表面及流程需要验证。 接合对结构与是否已退火 原厂确认的解键合程序及表面状态 释放后的颗粒、形貌及化学验收条件
- 适用于 D2W 混合键合和融合键合的芯粒前处理，可用于 chiplet 与异质集成等流程。载具或膜框需兼容等离子体活化，并满足键合所需的洁净条件。 晶粒、载具形式及暴露材料 颗粒、化学、活化基线与程序 等待时间及后段接合设备整合
- 晶圆表面工艺控制和探针可达的键合前表面；需要确认探针、扫描模式与采样范围。 提供 pad／间距、表面、扫描／取样、探针校准与 CMP／清洗历程。
- 官方产品目录列出 300 mm 晶圆清洗；用于薄晶圆、载板堆叠或键合前表面时，需要另行确认搬送和化学液兼容性。 提供 300 mm 晶圆／搬运、污染物、允许药液、表面损伤上限及清后化学／形貌参考。
讨论时先问
- 自有放行窗口与覆盖范围由谁验证和批准？
- 局部 Cu recess 与长尺度形貌是否同位置可比？
- 清洁活化后暴露与返工如何影响下一站表面？
公开参考来源
Bruker · AN5001 Surface Metrology for Hybrid Bonding ↗2025 应用资料；不套其 roughness／recess 数值，AFM 小视野不能代表全片颗粒覆盖，也不直接授予接合放行。
EV Group · EVG320 D2W ↗清洁与活化能力不提供特定表面化学、等待时间或返工窗口；仍需工艺自有验证。
ASE · Failure Analysis Lab ↗公开服务清单不保证微细 pad／TSV／残膜尺度检出或化学鉴别；取样与承接另确认。
Bruker · Dimension HPI 纳米表面粗糙度测量 ↗适用边界 局部 AFM 不直接证明整片洁净度、化学状态或键合合格。探针、扫描范围和环境影响结果；不能将 Pro 的 300 mm 配置套用到 HPI。 评估准备 BLNKK 建议整理材料、样品尺寸／固定方式、目标位置、粗糙度定义和扫描尺寸，并保留前处理及对照样品记录。 向供应商确认 请确认当前供货、HPI 扫描头／样品容量、探针与模式、校准及数据处理，再共同确定采样与验收方法。
Entegris · PlanarClean 铜表面 CMP 后清洁药水 ↗适用边界 公开资料未证明任意混合键合叠层都可放行。清洗效果不能替代粗糙度、化学状态或活化测量，也不保证能够去除所有残留。 评估准备 BLNKK 建议整理残留鉴定、膜层、稀释、刷洗／漂洗／干燥和等待条件，保留清洗前后表面及腐蚀对比数据。 向供应商确认 索取当前安全及使用／评估文件，确认兼容性、适合本样品的配方、药液输送条件和可用评估数据；不要直接套用公开参考流程。
Tokyo Electron · CELLESTA-i MD 金属暴露表面清洗及干燥 ↗适用边界 公开资料未提供本混合键合叠层的合格配方。原厂低损伤和图形倒塌控制说明，不能替代表面检测及接合试验。 评估准备 BLNKK 建议整理暴露膜层、污染物、表面高低差、粗糙度及氧化容许值，并记录清洗至接合的等待条件。 向供应商确认 确认药液对金属／介电层的相容性、干燥配置，以及颗粒、表面损失、水印和后续接合的验收方法。
SET Corporation · SET 供应 ONTOS 常压等离子表面准备 ↗适用边界 抑制再次氧化不等于永久保护，CMOS-safe 宣传也不能替代本样品损伤验证。独立设备与 OEM 头的规格及当前供应地区需分别确认。 评估准备 BLNKK 建议整理金属／介电表面、污染与氧化状态、现有气体／暴露条件、等待时间，以及键合与损伤判定标准。 向供应商确认 确认表面及配方兼容性、处理均匀性、再次氧化时间和设备集成条件，并核实当前地区供应及样品试验安排。
FUJIFILM Electronic Materials · FUJIFILM Clean-100 铜 CMP 后清洗材料 ↗适用边界 一般铜 CMP 用途不代表已通过混合键合前认证。低蚀刻率不等于零铜损耗；清洗也不能修复已有接合空洞或高度差。 评估准备 BLNKK 建议整理叠层、CMP／残留类型、清洗及漂洗干燥条件，并规划铜损耗、粗糙度和残留验证。 向供应商确认 请确认实际材料兼容性、使用浓度／时间、铜表面影响及储存条件，并约定后续接合的清洁度与放行验证。
Eurofins EAG Laboratories · EAG XPS 接合前表面化学分析 ↗适用边界 XPS 主要反映最外层表面，不能直接代表埋藏的接合界面或证明接合合格；溅射深度分析会移除材料。 评估准备 BLNKK 建议整理材料、清洗／等待／转移记录、对照样品和目标位置，避免送样污染掩盖原始差异。 向供应商确认 确认样品真空兼容性、分析区域、充电处理、判读方法，以及是否需要深度分析及其影响。
JSR · JSR CMP 后清洗配方 ↗适用边界 公开介绍不保证全部残留去除、无腐蚀或混合键合合格；清洗也不能处理已埋入的接合空洞。 评估准备 BLNKK 建议整理材料、抛光液／残留、刷洗冲洗干燥条件，并规划颗粒、化学残留和粗糙度对照。 向供应商确认 确认具体配方、材料／设备兼容性、清洗窗口、金属表面影响及代表性试片的验证方法。
DataPhysics Instruments · OCA 表面接触角与润湿性测量 ↗适用边界 接触角或表面能不能单独证明表面洁净、键合强度或良率。不同探测液、测量时点与计算方法的结果不可直接混用，晶圆自动定位也不是所有配置的标配。 评估准备 BLNKK 建议准备表面材料、清洗／活化和保存记录、处理后等待时间及取样位置。固定探测液、滴液量和读数时点，保留原始图像及正常批次对照。 向供应商确认 确认型号／附件、液滴与表面兼容性、轮廓判读和表面能计算方式。约定位置重复性、数据输出及其他分析对照；键合放行条件需另以实件证据建立。
Park Systems · NX20 接合前局部表面形貌 ↗适用边界 局部形貌不能代表全晶圆颗粒覆盖、化学洁净度或键合强度；大样品容量不等于同尺寸连续扫描。 评估准备 BLNKK 建议准备代表性表面、取样位置和工艺历史、粗糙度定义及已有测量，并记录图像处理设置。 向供应商确认 请确认适用探针、校准与重复性、样品固定和环境条件，以及所需模式是否包含在配置中。
Tokyo Electron · Synapse Si／ZF 300 mm 混合键合与退火前返工流程 ↗适用边界 退火前返工不能保证修复所有空洞或对准异常；适用键合状态、表面和返工次数仍需确认，也不能套用 Z Plus 的清洗规格。 评估准备 BLNKK 建议整理晶圆尺寸、翘曲与 TTV、表面／铜形貌、洁净度、键合与检查流程，以及退火前放行及返工标准。 向供应商确认 请确认 Si／ZF 配置、表面处理和对准条件、可返工状态、解键合后处理及重新键合安排，以及实际试样验证结果。
Nearfield Instruments · QUADRA 3D 扫描探针表面测量 ↗适用边界 表面测量不等于检测键合后埋藏空洞或化学成分；厂商量产声明及研发合作不保证具体叠层已合格。 评估准备 BLNKK 建议准备铜焊盘尺寸和间距、表面材料、目标形貌、CMP／清洗历程、扫描范围及采样计划。 向供应商确认 请确认探针可达性、校准与重复性、可用模式和 ULSA 配置，并索取相近键合表面的验证资料。
SCREEN Semiconductor Solutions · SU-3400 单片晶圆清洗系统 ↗适用边界 已读资料未证明目标混合键合材料已有合格清洗配方，也未确认全部薄晶圆或载板堆叠的搬送能力。其他机型的薄晶圆功能不能移用，清洗本身也不能判断界面失效原因。 评估准备 BLNKK 建议整理 300 mm 晶圆的厚度／翘曲、污染物、暴露材料、允许使用的化学液与表面损伤上限，并准备清洗前后的污染、化学和形貌对照。 向供应商确认 请确认腔室／化学液配置、处理温度、搬送限制、试制条件与清洗验收指标；如用于键合前表面，另行约定清洗后等待时间及后续键合验证。