DW-3100 芯片位移补偿直接曝光

SCREEN Semiconductor Solutions · 工艺设备与温度控制

方案用途: Fan-out 芯片位移后，需要评估 RDL 曝光图形能否适配实际芯片位置及基板变形。
技术方式: DW-3100 采用 GLV 无掩膜直接曝光，通过图像处理识别翘曲、变形与芯片位置，调整逐晶圆／芯片曝光。
适用范围: 原厂定位于先进封装，支持晶圆和方形面板；实际尺寸、光刻胶及可补偿范围需确认。
限制与待确认事项: 以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界
分辨率不等于套刻精度或补偿范围，发布资料未提供通用数值。曝光补偿不会移回芯片，仍需验证实际 RDL 对位及连接。
评估准备
BLNKK 建议整理位移／旋转分布、基板变形、对位标记、光刻胶堆叠和 RDL 尺寸／套刻目标。
向供应商确认
请确认支持尺寸、位置测量与曝光衔接、光刻胶窗口、补偿范围及验收方法，再安排代表性样品曝光和测量。
公开依据: 2025 年 12 月 3 日官方发布说明上述补偿功能，并称更新光学系统可实现 1 µm 以下分辨率。

联系供应商

查看公司联系信息，通过官方渠道咨询此方案。