JIB-PS500i 指定接点 FIB 取样
JEOL · 工程测量与失效分析
- 方案用途
- 从已定位的疑似开路接点制备局部截面或薄片，补充界面失效证据。
- 技术方式
- JIB-PS500i 使用 Ga 聚焦离子束铣削，结合 SEM 观察制样位置与进度；取出／自动薄片制备需确认选配。
- 适用范围
- 可评估能装入腔体、固定并定位的样品；需先用电性等方法界定目标接点并保留原始证据。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界破坏性局部制样可能引入离子损伤或再沉积；薄片本身不能证明开路原因，也不能代表所有接点。
评估准备BLNKK 建议整理电性失效坐标、叠层／金属、取样方向、前期图像和对照样品，规划保护及取样顺序。
向供应商确认确认腔体／固定、取样和转移选配、离子损伤控制，以及后续 TEM／EDS 或其他分析的配置与责任。
- 公开依据
- 官方具名页列出 FIB／SEM 和薄片制备功能，明确区分选配取样、自动化及 EDS。
联系供应商
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相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。