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RDL 除胶与干式蚀刻工艺方案

友威 UVAT · 工艺设备与窗口控制

研究候选・适用条件待确认

官方搜索索引;原页与规格仍需确认。

研究核查日期: 2026-10-15
方案用途
候选工程用途:【RDL 层间接触初始高电阻】比较通孔底部清洁、金属种子层与初始接触。
技术方式
来源尚未提供完整机制或工艺细节,请向供应商确认。
适用范围
候选工程用途:【RDL 层间接触初始高电阻】比较通孔底部清洁、金属种子层与初始接触。
限制与待确认事项
【RDL 层间接触初始高电阻】清洗/除胶须确认介电材料及金属损伤;需 Kelvin 或链式电阻验证。 需由供应商确认样品、规格及承接条件;未验证改善效果。
公开依据
官方来源列出「RDL 除胶与干式蚀刻工艺方案」。
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补充参考资料

联系供应商

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候选用途与工程问题

RDL 层间接触初始高电阻

比较通孔底部清洁、金属种子层与初始接触。

清洗/除胶须确认介电材料及金属损伤;需 Kelvin 或链式电阻验证。

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资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案;方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。