RDL 除胶与干式蚀刻工艺方案
候选工程用途：【RDL 层间接触初始高电阻】比较通孔底部清洁、金属种子层与初始接触。
研究候选・适用条件待确认
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研究核查日期: 2026-10-15UVAT｜友威科技股份有限公司
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补充这家公司的方案 →SiP 低温 EMI 屏蔽镀膜
候选工程用途：【封装电磁耦合与屏蔽窗口】比较干扰源、接地与屏蔽材料／工艺。
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研究核查日期: 2026-10-15候选用途与工程问题
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