接合後 pad overlay 量測
先補可見層與標記到 pad 校準。
待確認項目 · 01
比較方案
比較各方案的用途、所需資料與限制。
針對「混合鍵合 pad 錯位與電性開路」，先了解每個方案能回答什麼，再安排驗證順序。
目前比較0個方案在這一頁直接選擇 2–3 個方案；排列順序不代表推薦。
查看完整方案資料選擇方案
挑選要並排檢查的候選
請先選擇至少 2 個方案。
查看完整方案資料 →BLNKK 不會預先替你選擇，也不會把排列順序當作推薦。
BLNKK 評估整理
補充工程條件 →下一步
可以先比較用途與限制；補充關鍵樣品條件後，再規劃驗證。
已選 0 個方案相關條件已確認 0 / 5尚未選擇方案；以下依目前工程問題整理。
優先待確認事項 · 5
01兩側向量與 pad 校準可追溯待確認
接合後兩側 Cu pad／標記是否有同座標 overlay 向量及標記到 pad 的校準？
需標示可見層、座標轉換與量測不確定度；die 邊緣或單側標記不能直接代表 Cu pad 相對位置。
補充工程條件 →02網路與 pad 位置可對位待確認
03轉換與接合履歷可比待確認
04雙側圖形與局部殘差可比待確認
05錯位與接合面資料可對照待確認
相關評估路徑
評估準備清單
依相關工程條件整理的討論準備項目；不代表原廠硬性要求或資料已具備。
- 兩側向量與 pad 校準可追溯
- 網路與 pad 位置可對位
- 轉換與接合履歷可比
- 雙側圖形與局部殘差可比
其餘 1 項準備資料
- 錯位與接合面資料可對照
各方案的專屬輸入與適用限制，請一併查看上方比較表。
討論時先問
- 標記到 pad 的校準與量測不確定度是否可追溯？
- open 可定位到哪個網路、die 或單一接點？
- 全域轉換後的局部殘差如何與雙側圖形和接合面分開？
公開參考來源 · 9
- EV Group · EVG40 D2W announcement ↗
查看來源說明與限制
說明同時取得 die／base wafer 標記、接合後 die placement 驗證及回饋用途。
2025 原廠 D2W 能力宣告；未證明本 Cu pad 的錯位或 open 根因，也不外推 W2W 精度。
- EV Group · GEMINI Series brochure ↗
查看來源說明與限制
列 face-to-face、透明及背面對準選項與接合後 IR alignment verification。
2025 原廠選項；標記位置不等於 Cu pad 位移，需要量測座標及光學可見性校準，不引入精度數值。
- ASE · Failure Analysis Lab ↗
查看來源說明與限制
列電性定位、非破壞分析及目標截面／FIB、SEM、EDX、XPS 分析能力。
公開服務清單不保證微細 pad／TSV／殘膜尺度檢出或化學鑑別；取樣與承接另確認。
- Bruker · AN5001 Surface Metrology for Hybrid Bonding ↗
查看來源說明與限制
AFM 檢查局部 Cu recess／roughness；AFP 觀察較大面積形貌，局部量測和長尺度不均勻須分開。
2025 應用資料；不套其 roughness／recess 數值，AFM 小視野不能代表全片顆粒覆蓋，也不直接授予接合放行。
- EV Group · EVG40 D2W 接合後 overlay 量測 ↗
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官網及完整產品單張明列接合後量測與模型回饋。原廠規劃全 die 檢測，但實際涵蓋率／速度仍受樣品與配置影響。
適用邊界 看得到標記才有有效的 overlay 結果，埋藏標記不能一概假設可量測。對位合格不代表 Cu 導通、接合強度或無空洞；規格亦不一定可同時套用。 評估準備 BLNKK 建議準備標記設計、die map、層結構、接合前後位置資料與製程歷程，規劃重複性、量測涵蓋率及其他接點證據的對照。 向供應商確認 確認樣品的光學可達性、所需雙焦點／IR 配置與量測條件，討論精度、節拍、模型參數及資料匯出。另確認回饋如何接入既有接合設備。
- SET Corporation · NEO HB 室溫直接／混合接合 ↗
查看來源說明與限制
SET 產品頁說明接合流程、閉迴路與接合後精度，並區分獨立及全自動模式。
適用邊界 公開設備精度不等於實際 overlay 分布或電性良率。室溫接合也不能推定所有材料都免退火或免表面前處理。 評估準備 BLNKK 建議整理對位標記、晶粒／晶圓形變、表面準備狀態、放置與接合後 overlay，以及熱處理履歷。 向供應商確認 確認精度定義、樣品與模式、夾持及對位方法、表面和熱處理流程，討論 overlay 與接合／電性驗證。
- Besi · Datacon 8800 CHAMEO ultra plus AC Hybrid Bonding ↗
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Besi 產品頁列出 ISO3 工作區、100 nm（3σ、GOG 最差角落）對位規格及最高 2,000 CPH 的乾循環節拍，並提供客戶材料示範。這些條件化規格不能直接代表完整製程產能或接合良率。
適用邊界 公開對位與乾循環節拍不能當作實際接合良率或端到端產能保證。表面狀態、顆粒、翹曲、對位標記及上游製程須與設備配置一起驗證。 評估準備 BLNKK 建議整理晶圓／晶粒尺寸與厚度、接合墊布局、表面與翹曲量測、對位標記及前處理流程。明確列出品質、產能與潔淨度目標，供樣品試作討論。 向供應商確認 請 Besi 確認材料搬送、晶粒剝離、治具及前處理整合的適用配置。可利用原廠樣品試作，約定對位、接合品質、污染與實際節拍的驗證方式。
- EV Group · GEMINI FB XT 300 mm fusion／hybrid wafer bonding ↗
查看來源說明與限制
目前設備資料列出 NT3 小於 50 nm 的晶圓對位精度。2017 年 Leti 的 300 mm、1 µm 接點間距混合接合研究示範使用較早的 SmartView NT，兩者不可視為同一版本的驗證。
適用邊界 設備對位規格不等於接合後套刻、接點良率或可靠度保證；2017 年結果屬研究示範。原廠亦說明規格會隨配置、製程及材料而異。 評估準備 建議整理晶圓尺寸、接合介面與接點間距、表面及翹曲量測、前後處理流程，以及套刻、缺陷和產能目標，用於討論設備配置與試驗。 向供應商確認 確認 NT2／NT3 配置及對位精度的量測定義、前處理與驗證模組、接合後套刻和缺陷驗收方式。詢問實際晶圓試驗、製程窗口及產能評估如何安排。
- Toray Engineering · UC5000 面板級封裝接合設備 ↗
查看來源說明與限制
原廠明列三種接合製程與晶圓／面板搬送。
適用邊界 TCB 與混合接合規格不能互相套用，也不能推定最大尺寸、接合力及最佳精度可同時成立。設備精度不等於接合後的對準偏差、電性、界面品質或可靠度。 評估準備 BLNKK 建議準備晶圓／面板格式、翹曲及熱變形、晶粒尺寸、標記與接合材料。整理接合前後座標及電性／可靠度判定方式。 向供應商確認 確認所選製程的載台、供料、加熱與接合頭配置，以及精度的量測條件。另核對面板夾持、翹曲容許量和實際樣品的接合後驗證。
完整評估紀錄展開查看完整條件、各路徑規則與原始評估說明。
目前判斷與下一步
依自述條件與公開資料整理；可先評估不代表已驗證樣品適用性或根因。排列順序不代表最佳方案。
已知條件 · 0
重要的未知條件 · 5
- 接合後兩側 Cu pad／標記是否有同座標 overlay 向量及標記到 pad 的校準？需標示可見層、座標轉換與量測不確定度；die 邊緣或單側標記不能直接代表 Cu pad 相對位置。
- 開路網路能否對位到 pad 接點及同位置正常對照？daisy-chain 總 open 不等於單一 pad 開路；先記錄可存取端點與定位限制。
- 對準轉換、接合前後時點及熱／夾持履歷是否可比？同時保留平移、旋轉與量測基準；不同接合時點不能直接當設備補償。
- 是否有雙側 pad layout、局部尺寸與 wafer／die 位置對照？需要設計到實測轉換及局部殘差；不能把非剛性局部圖形差異只用全域位移補正。
- 同位置的接合面空洞／表面狀態是否另有對照？保持錯位與非幾何未接合兩種假設；看見向量不能排除顆粒或局部未接合。
值得評估的路徑
接合後 pad overlay 量測
先補可見層與標記到 pad 校準。
- 接合後兩側 Cu pad／標記是否有同座標 overlay 向量及標記到 pad 的校準？
哪些條件會改變這條路徑
- 接合後兩側 Cu pad／標記是否有同座標 overlay 向量及標記到 pad 的校準？支持先評估: 兩側向量與 pad 校準可追溯 · 目前不適合: 只有 die 邊緣／單側標記
設備對準補償對照
先補電性定位和同時點設備 trace。
- 接合後兩側 Cu pad／標記是否有同座標 overlay 向量及標記到 pad 的校準？
- 開路網路能否對位到 pad 接點及同位置正常對照？
- 對準轉換、接合前後時點及熱／夾持履歷是否可比？
哪些條件會改變這條路徑
- 接合後兩側 Cu pad／標記是否有同座標 overlay 向量及標記到 pad 的校準？支持先評估: 兩側向量與 pad 校準可追溯 · 目前不適合: 只有 die 邊緣／單側標記
- 開路網路能否對位到 pad 接點及同位置正常對照？支持先評估: 網路與 pad 位置可對位 · 目前不適合: 只有總 open 未定位
- 對準轉換、接合前後時點及熱／夾持履歷是否可比？支持先評估: 轉換與接合履歷可比 · 目前不適合: 時點／基準或履歷混雜
圖形與接合面共同審查
先補雙側圖形與接合面對照。
- 接合後兩側 Cu pad／標記是否有同座標 overlay 向量及標記到 pad 的校準？
- 開路網路能否對位到 pad 接點及同位置正常對照？
- 是否有雙側 pad layout、局部尺寸與 wafer／die 位置對照？
- 同位置的接合面空洞／表面狀態是否另有對照？
哪些條件會改變這條路徑
- 接合後兩側 Cu pad／標記是否有同座標 overlay 向量及標記到 pad 的校準？支持先評估: 兩側向量與 pad 校準可追溯 · 目前不適合: 只有 die 邊緣／單側標記
- 開路網路能否對位到 pad 接點及同位置正常對照？支持先評估: 網路與 pad 位置可對位 · 目前不適合: 只有總 open 未定位
- 是否有雙側 pad layout、局部尺寸與 wafer／die 位置對照？支持先評估: 雙側圖形與局部殘差可比 · 目前不適合: 只有名義 pitch 或設計圖
- 同位置的接合面空洞／表面狀態是否另有對照？支持先評估: 錯位與接合面資料可對照 · 目前不適合: 僅 open、未分幾何與表面
接下來先做
尚未提供結果；先補關鍵條件，再安排評估。
- 接合後兩側 Cu pad／標記是否有同座標 overlay 向量及標記到 pad 的校準？
準備這些資料
- 兩側可見層／標記；pad 到標記校準；接合前後同座標圖
- open 網路與可存取端點；正常／異常 pad 對位圖；可破壞取樣範圍
- 接合轉換與熱／夾持 trace；pad／open 同座標圖；雙側設計實測與表面對照
- 面向異質整合與先進封裝的接合後 D2W 結構。標記布局、層結構和紅外線可達性需在實際樣品上確認。
- 原廠列出晶粒對晶圓及晶粒對基板用途；表面狀態、幾何與後續熱處理須依實際疊層確認。
- 面向高密度互連與 3D 整合的混合接合開發及產線導入。公開搬送範圍包括 12 吋目標晶圓與不同晶粒尺寸／厚度；實際材料、治具及配置需逐案確認。 pad 間距與晶粒／基板標記 接合後偏移圖與開路位置
- 原廠列出記憶體堆疊、3D SoC、背照式 CMOS 影像感測器及晶粒功能分割等晶圓對晶圓用途。300 mm 使用 NT3，200 mm 配置使用 NT2，需分別確認規格。 晶圓尺寸、pad／標記位置圖、變形模型與接合後偏移／開路網路
- 面向晶圓與面板級封裝。公開載台格式包括 300 mm 晶圓及 515×510／600×600 mm 面板，須依接合配置確認。 提供 hybrid 配置、標記／pad、載台／晶粒格式、翹曲熱變形與前後座標。
討論時先問
- 標記到 pad 的校準與量測不確定度是否可追溯？
- open 可定位到哪個網路、die 或單一接點？
- 全域轉換後的局部殘差如何與雙側圖形和接合面分開？
公開參考來源
EV Group · EVG40 D2W announcement ↗2025 原廠 D2W 能力宣告；未證明本 Cu pad 的錯位或 open 根因，也不外推 W2W 精度。
EV Group · GEMINI Series brochure ↗2025 原廠選項；標記位置不等於 Cu pad 位移，需要量測座標及光學可見性校準，不引入精度數值。
ASE · Failure Analysis Lab ↗公開服務清單不保證微細 pad／TSV／殘膜尺度檢出或化學鑑別；取樣與承接另確認。
Bruker · AN5001 Surface Metrology for Hybrid Bonding ↗2025 應用資料；不套其 roughness／recess 數值，AFM 小視野不能代表全片顆粒覆蓋，也不直接授予接合放行。
EV Group · EVG40 D2W 接合後 overlay 量測 ↗適用邊界 看得到標記才有有效的 overlay 結果，埋藏標記不能一概假設可量測。對位合格不代表 Cu 導通、接合強度或無空洞；規格亦不一定可同時套用。 評估準備 BLNKK 建議準備標記設計、die map、層結構、接合前後位置資料與製程歷程，規劃重複性、量測涵蓋率及其他接點證據的對照。 向供應商確認 確認樣品的光學可達性、所需雙焦點／IR 配置與量測條件，討論精度、節拍、模型參數及資料匯出。另確認回饋如何接入既有接合設備。
SET Corporation · NEO HB 室溫直接／混合接合 ↗適用邊界 公開設備精度不等於實際 overlay 分布或電性良率。室溫接合也不能推定所有材料都免退火或免表面前處理。 評估準備 BLNKK 建議整理對位標記、晶粒／晶圓形變、表面準備狀態、放置與接合後 overlay，以及熱處理履歷。 向供應商確認 確認精度定義、樣品與模式、夾持及對位方法、表面和熱處理流程，討論 overlay 與接合／電性驗證。
Besi · Datacon 8800 CHAMEO ultra plus AC Hybrid Bonding ↗適用邊界 公開對位與乾循環節拍不能當作實際接合良率或端到端產能保證。表面狀態、顆粒、翹曲、對位標記及上游製程須與設備配置一起驗證。 評估準備 BLNKK 建議整理晶圓／晶粒尺寸與厚度、接合墊布局、表面與翹曲量測、對位標記及前處理流程。明確列出品質、產能與潔淨度目標，供樣品試作討論。 向供應商確認 請 Besi 確認材料搬送、晶粒剝離、治具及前處理整合的適用配置。可利用原廠樣品試作，約定對位、接合品質、污染與實際節拍的驗證方式。
EV Group · GEMINI FB XT 300 mm fusion／hybrid wafer bonding ↗適用邊界 設備對位規格不等於接合後套刻、接點良率或可靠度保證；2017 年結果屬研究示範。原廠亦說明規格會隨配置、製程及材料而異。 評估準備 建議整理晶圓尺寸、接合介面與接點間距、表面及翹曲量測、前後處理流程，以及套刻、缺陷和產能目標，用於討論設備配置與試驗。 向供應商確認 確認 NT2／NT3 配置及對位精度的量測定義、前處理與驗證模組、接合後套刻和缺陷驗收方式。詢問實際晶圓試驗、製程窗口及產能評估如何安排。
Toray Engineering · UC5000 面板級封裝接合設備 ↗適用邊界 TCB 與混合接合規格不能互相套用，也不能推定最大尺寸、接合力及最佳精度可同時成立。設備精度不等於接合後的對準偏差、電性、界面品質或可靠度。 評估準備 BLNKK 建議準備晶圓／面板格式、翹曲及熱變形、晶粒尺寸、標記與接合材料。整理接合前後座標及電性／可靠度判定方式。 向供應商確認 確認所選製程的載台、供料、加熱與接合頭配置，以及精度的量測條件。另核對面板夾持、翹曲容許量和實際樣品的接合後驗證。