負載電性與位置關聯
先補同步負載／溫度／電性時間軸及互連位置映射。
比較方案
比較各方案的用途、所需資料與限制。
針對「微凸塊或銅柱在高電流下出現 IR drop 與漸進電阻劣化」，先了解每個方案能回答什麼，再安排驗證順序。
目前比較0個方案在這一頁直接選擇 2–3 個方案；排列順序不代表推薦。
查看完整方案資料選擇方案
挑選要並排檢查的候選
請先選擇至少 2 個方案。
查看完整方案資料 →BLNKK 不會預先替你選擇，也不會把排列順序當作推薦。
BLNKK 評估整理
補充工程條件 →下一步
可以先比較用途與限制；補充關鍵樣品條件後，再規劃驗證。
已選 0 個方案相關條件已確認 0 / 3尚未選擇方案；以下依目前工程問題整理。
優先待確認事項 · 3
相關評估路徑
評估準備清單
依相關工程條件整理的討論準備項目；不代表原廠硬性要求或資料已具備。
- 時間序列與位置可用
- 可重現且已記錄
- 主要模型輸入已齊
各方案的專屬輸入與適用限制，請一併查看上方比較表。
討論時先問
- 電性是否同步負載、溫度、時間並能對應到實體互連？
- 模型是否使用實際幾何、供電拓撲與技術檔，而非一般銅柱假設？
- 物理分析是否由電性或模型位置引導並包含正常對照？
公開參考來源 · 6
- Ansys · The Benefits and Risks of Copper Pillar Bumped Flip Chips ↗
查看來源說明與限制
技術資料指出銅柱幾何、材料和封裝設計差異會改變接點應力、current crowding、熱負載與電遷移風險，並警告不能跨設計直接泛化。
白皮書是一般風險框架，不證明本題樣品已發生 EM，也未提供本設計壽命。
- Ansys／Samsung Foundry · Samsung Foundry Certifies Ansys Thermal Integrity and Power Integrity Solutions ↗
查看來源說明與限制
官方資料說明 RedHawk-SC 驗證跨 chiplet 與 interposer 供電網路的 EM 可靠度和 IR drop，Electrothermal 用於 3DIC 溫度分析。
認證針對 Samsung 特定封裝技術與流程；不能直接視為本設計的 signoff 或準確度保證。
- ASE · Failure Analysis Lab ↗
查看來源說明與限制
官方頁列出電性測試、TDR、OBIRCH、thermal lock-in、micro-bump 缺陷分析與截面／FIB 等能力。
能力清單不代表本題一定能定位，也不能由單一物理缺陷證明 EM 根因。
- Cadence · Voltus 3D IC 電遷移與 IR drop 分析 ↗
查看來源說明與限制
Cadence 產品頁明列 3D-IC 共同模擬；2024 年 10 月 7 日文章區分 Integrity 規劃、Voltus 晶片端簽核及 Sigrity 系統端簽核。
適用邊界 分析結果取決於電源與熱模型、工作負載及規則；不能單獨證明既有微凸塊損傷或實際壽命。完整堆疊與熱分析可能涉及其他工具及授權。 評估準備 BLNKK 建議整理電源網路、微凸塊／TSV 模型、電流活動、溫度與製程規則，並列出可對照的量測資料。 向供應商確認 確認本堆疊可用的模型、萃取與 EM 規則、跨工具及溫度資料流程，以及 Voltus 與其他工具的分析分工及授權。
- ULTRA TEC Manufacturing, Inc. · ASAP-1 IPS 局部開封與減薄 ↗
查看來源說明與限制
原廠 ASAP-1 IPS 頁面明列開封、減薄、拋光及視覺控制，並區分選配模組。
適用邊界 製樣會改變試片，機械移除可能傷及互連；不能直接證明電遷移或電阻劣化的根因。 評估準備 BLNKK 建議準備目標位置、材料疊構、既有電性與影像紀錄，說明允許移除的範圍及觀察終點。 向供應商確認 確認工具與夾持、終點控制及所需選配，例如影像疊合或曲率修正，並討論如何檢查製樣損傷。
- Thermo Fisher Scientific · ELITE lock-in thermography 封裝內電性故障 3D 定位 ↗
查看來源說明與限制
原廠產品頁與 2018 年資料表描述非破壞電性故障定位；2022 年功率 MOSFET 案例展示 ELITE 熱點定位後，再進行 PFIB 與探針／實體分析。
適用邊界 故障需可被電性激發並產生可辨識熱訊號；定位熱點不等於證實根因。解析度依樣品與配置變動，VX 電壓能力及 SIL／S-LSM 選配不能套用所有機型。 評估準備 BLNKK 建議整理樣品結構與尺寸、故障電性、可用刺激及安全限值、已有影像和關注區域，以及後續破壞分析的限制。 向供應商確認 請確認機型／選配、樣品激發與熱訊號可用性、定位及深度估計條件、實際樣品精度，以及後續設備的座標與資料銜接。
完整評估紀錄展開查看完整條件、各路徑規則與原始評估說明。
目前判斷與下一步
依自述條件與公開資料整理；可先評估不代表已驗證樣品適用性或根因。排列順序不代表最佳方案。
已知條件 · 0
重要的未知條件 · 3
- 是否有同步負載、溫度與逐路徑電壓／電阻的時間序列及位置對應？只有最終 pass／fail 無法區分可逆 IR drop、接觸漂移與漸進劣化。
- 實際電流／工作負載、占空比、局部溫度與冷卻邊界是否可重現？電遷移與導體電阻均受電流和溫度影響；缺少邊界時不可外推壽命。
- 互連幾何、材料、供電拓撲與跨 die／interposer 連接資料是否齊備？current crowding 和 EM／IR 結果依賴實際幾何與連接，不能用一般銅柱案例替代。
值得評估的路徑
負載電性與位置關聯
先補同步負載／溫度／電性時間軸及互連位置映射。
- 是否有同步負載、溫度與逐路徑電壓／電阻的時間序列及位置對應？
- 實際電流／工作負載、占空比、局部溫度與冷卻邊界是否可重現？
哪些條件會改變這條路徑
- 是否有同步負載、溫度與逐路徑電壓／電阻的時間序列及位置對應？支持先評估: 時間序列與位置可用 · 目前不適合: 只有整體或終點結果
- 實際電流／工作負載、占空比、局部溫度與冷卻邊界是否可重現？支持先評估: 可重現且已記錄
3DIC 電熱 EM／IR 分析
先補電流／溫度邊界、幾何、材料與跨層連接資料。
- 實際電流／工作負載、占空比、局部溫度與冷卻邊界是否可重現？
- 互連幾何、材料、供電拓撲與跨 die／interposer 連接資料是否齊備？
哪些條件會改變這條路徑
- 實際電流／工作負載、占空比、局部溫度與冷卻邊界是否可重現？支持先評估: 可重現且已記錄 · 目前不適合: 負載或熱邊界不受控
- 互連幾何、材料、供電拓撲與跨 die／interposer 連接資料是否齊備？支持先評估: 主要模型輸入已齊 · 目前不適合: 關鍵幾何或連接缺漏
目標互連物理分析
先建立電性路徑到微凸塊／銅柱位置的映射。
- 是否有同步負載、溫度與逐路徑電壓／電阻的時間序列及位置對應？
- 互連幾何、材料、供電拓撲與跨 die／interposer 連接資料是否齊備？
哪些條件會改變這條路徑
- 是否有同步負載、溫度與逐路徑電壓／電阻的時間序列及位置對應？支持先評估: 時間序列與位置可用 · 目前不適合: 只有整體或終點結果
- 互連幾何、材料、供電拓撲與跨 die／interposer 連接資料是否齊備？支持先評估: 主要模型輸入已齊
接下來先做
尚未提供結果；先補關鍵條件，再安排評估。
- 是否有同步負載、溫度與逐路徑電壓／電阻的時間序列及位置對應？
準備這些資料
- 幾何、材料、供電拓撲、負載、溫度與技術檔
- 互連、封裝、材料、負載與熱邊界
- 位置化電性、樣品、網表／版圖與模型候選區域
- 具有可用設計與萃取模型的 3D-IC 電源網路；工作負載、連接結構及製程規則須對應本堆疊。
- 供允許材料移除的晶粒、封裝、模組或晶圓使用；目標位置與移除終點需規劃。
- 面向可產生可量測熱訊號的電性故障，涵蓋封裝、模組、晶粒及板級樣品；適用機型、激發方式和樣品須確認。 可重現的電性異常及安全偏壓 封裝光學、熱傳路徑與調變頻率 電流電壓基線與後續物理分析
討論時先問
- 電性是否同步負載、溫度、時間並能對應到實體互連？
- 模型是否使用實際幾何、供電拓撲與技術檔，而非一般銅柱假設？
- 物理分析是否由電性或模型位置引導並包含正常對照？
公開參考來源
Ansys · The Benefits and Risks of Copper Pillar Bumped Flip Chips ↗白皮書是一般風險框架，不證明本題樣品已發生 EM，也未提供本設計壽命。
Ansys／Samsung Foundry · Samsung Foundry Certifies Ansys Thermal Integrity and Power Integrity Solutions ↗認證針對 Samsung 特定封裝技術與流程；不能直接視為本設計的 signoff 或準確度保證。
ASE · Failure Analysis Lab ↗能力清單不代表本題一定能定位，也不能由單一物理缺陷證明 EM 根因。
Cadence · Voltus 3D IC 電遷移與 IR drop 分析 ↗適用邊界 分析結果取決於電源與熱模型、工作負載及規則；不能單獨證明既有微凸塊損傷或實際壽命。完整堆疊與熱分析可能涉及其他工具及授權。 評估準備 BLNKK 建議整理電源網路、微凸塊／TSV 模型、電流活動、溫度與製程規則，並列出可對照的量測資料。 向供應商確認 確認本堆疊可用的模型、萃取與 EM 規則、跨工具及溫度資料流程，以及 Voltus 與其他工具的分析分工及授權。
ULTRA TEC Manufacturing, Inc. · ASAP-1 IPS 局部開封與減薄 ↗適用邊界 製樣會改變試片，機械移除可能傷及互連；不能直接證明電遷移或電阻劣化的根因。 評估準備 BLNKK 建議準備目標位置、材料疊構、既有電性與影像紀錄，說明允許移除的範圍及觀察終點。 向供應商確認 確認工具與夾持、終點控制及所需選配，例如影像疊合或曲率修正，並討論如何檢查製樣損傷。
Thermo Fisher Scientific · ELITE lock-in thermography 封裝內電性故障 3D 定位 ↗適用邊界 故障需可被電性激發並產生可辨識熱訊號；定位熱點不等於證實根因。解析度依樣品與配置變動，VX 電壓能力及 SIL／S-LSM 選配不能套用所有機型。 評估準備 BLNKK 建議整理樣品結構與尺寸、故障電性、可用刺激及安全限值、已有影像和關注區域，以及後續破壞分析的限制。 向供應商確認 請確認機型／選配、樣品激發與熱訊號可用性、定位及深度估計條件、實際樣品精度，以及後續設備的座標與資料銜接。