探針接觸與壓痕基準
先補本路徑所需的樣品、記錄與對照。
SOLUTION NAVIGATOR比較方案
針對「晶圓探測接觸與溫控有效性」,先了解每個方案能回答什麼,再安排驗證順序。
選擇方案
BLNKK 不會預先替你選擇,也不會把排列順序當作推薦。
可以先比較用途與限制;補充關鍵樣品條件後,再規劃驗證。
實際晶圓/載框支撐及溫變座標是否已核對並可比較?
一般晶圓記錄 chuck 支撐、位置與受力;切割後載框元件另核對膠帶、厚度、晶粒座標及熱位移。未使用的載框/膠帶應明確記為不適用,不必補不存在的配置。
補充工程條件 →依相關工程條件整理的討論準備項目;不代表原廠硬性要求或資料已具備。
各方案的專屬輸入與適用限制,請一併查看上方比較表。
產品頁公開 Apollo 用途與探針、間距、低接觸力及電流選項。型錄下載暫時不可讀,未將未讀附件當作規格依據。
適用邊界 公開規格包含不同探針選項,不能合併成所有條件同時適用。接觸合格不代表晶粒無缺陷,也不直接判定內部失效根因。 評估準備 BLNKK 建議準備接點/凸塊圖、金屬與間距、電流、溫度及測試程序。補充平面度、overtravel、接觸電阻與探針痕跡對照。 向供應商確認 確認探針與轉接器配置、接觸力、電流及溫度窗口,以及測試機/探針台相容性。另確認清潔、壽命與允收痕跡,避免影響後續接合。
MPI 產品頁與 2026 年 8 月 TS200-SE 資料表列出屏蔽、探針及載台配置,並分別列示溫區與漏電規格。
適用邊界 探針台不是獨立參數分析儀或完整熱阻測試方法;載台溫度也不能直接當作元件接面溫度。漏電、溫區與高功率能力依配置及測試條件而異,不能混用不同載台或 TS200-IFE 的規格。 評估準備 BLNKK 建議準備晶圓/元件尺寸、pad 佈局、電壓/電流與溫區、儀器及接線配置,另整理接觸/overtravel、穩定時間與空載、開路或參考樣品的基線。 向供應商確認 請確認適用載台、探針/guarding 接線、儀器相容性及目標條件下的漏電/雜訊,並約定溫控驗證、接觸重複性與量測方法;若需接面溫度或熱阻,另確認所需方法與儀器。
ACCRETECH 產品頁分列框架用途與選配,包括切割後 300 mm 方形及最大 330 mm 方形 PLP 測試。
適用邊界 位置修正不能直接判定埋藏開路;探針卡、測試頭及電性程式須配合,PLP 與高溫能力不是預設標配。 評估準備 BLNKK 建議準備框架與晶粒地圖、尺寸及厚度、接點與探針卡、測試頭、溫度和接觸失敗紀錄。 向供應商確認 請確認框架/PLP 格式、搬送及溫控選配、座標校正、探痕檢查,以及與測試機和探針卡的相容性。
依自述條件與公開資料整理;可先評估不代表已驗證樣品適用性或根因。排列順序不代表最佳方案。
先補本路徑所需的樣品、記錄與對照。
先補本路徑所需的樣品、記錄與對照。
先補本路徑所需的樣品、記錄與對照。
尚未提供結果;先補關鍵條件,再安排評估。
FormFactor · Apollo 垂直探針卡 ↗適用邊界 公開規格包含不同探針選項,不能合併成所有條件同時適用。接觸合格不代表晶粒無缺陷,也不直接判定內部失效根因。 評估準備 BLNKK 建議準備接點/凸塊圖、金屬與間距、電流、溫度及測試程序。補充平面度、overtravel、接觸電阻與探針痕跡對照。 向供應商確認 確認探針與轉接器配置、接觸力、電流及溫度窗口,以及測試機/探針台相容性。另確認清潔、壽命與允收痕跡,避免影響後續接合。
MPI Corporation · TS200-SE 晶圓低雜訊與溫度探測平台 ↗適用邊界 探針台不是獨立參數分析儀或完整熱阻測試方法;載台溫度也不能直接當作元件接面溫度。漏電、溫區與高功率能力依配置及測試條件而異,不能混用不同載台或 TS200-IFE 的規格。 評估準備 BLNKK 建議準備晶圓/元件尺寸、pad 佈局、電壓/電流與溫區、儀器及接線配置,另整理接觸/overtravel、穩定時間與空載、開路或參考樣品的基線。 向供應商確認 請確認適用載台、探針/guarding 接線、儀器相容性及目標條件下的漏電/雜訊,並約定溫控驗證、接觸重複性與量測方法;若需接面溫度或熱阻,另確認所需方法與儀器。
Tokyo Seimitsu (ACCRETECH) · FP3000W 框架式晶圓探針測試機 ↗適用邊界 位置修正不能直接判定埋藏開路;探針卡、測試頭及電性程式須配合,PLP 與高溫能力不是預設標配。 評估準備 BLNKK 建議準備框架與晶粒地圖、尺寸及厚度、接點與探針卡、測試頭、溫度和接觸失敗紀錄。 向供應商確認 請確認框架/PLP 格式、搬送及溫控選配、座標校正、探痕檢查,以及與測試機和探針卡的相容性。