你的方案地圖
晶圓探測接觸與溫控有效性
先確認 BLNKK 對問題的理解，再掌握優先路線、候選方案與仍缺的條件。
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先確認問題理解，再決定要深入哪些方案。
3優先路線3候選方案3已整理來源
BLNKK 目前理解
請確認內容- 物件與結構
- 晶圓 pad、凸塊、銅柱與載框上的 CSP／WLP 測試接觸
- 發生階段
- 晶圓電測、溫度受控探測與切割後載框電測
- 可觀察現象
- 探測接觸不穩、假開路、溫變測值漂移或探針壓痕損傷
- 工程決策
- 先比較接觸基準、探針力與實際溫度，再區分測試假象與元件故障
優先評估路線
各路線用途不同，可搭配使用01
探針接觸與壓痕基準核對 pad／凸塊幾何、探針力與壓痕，建立可重複的接觸基準。
優先02
儀器校正與實際溫度控制校正外接儀器與 guarding，核對 chuck 和實際 DUT 溫度及漂移。
優先03
載框／治具與接觸重測對照比較實際晶圓／載框支撐、座標與重測，區分治具假象和持續元件異常。
優先目前候選方案
尚需確認樣品適用性直接候選方案Apollo 垂直探針卡FormFactor· 可協助回答：比較 Cu pillar／凸塊探針接觸與 probe mark，先排除接觸假失敗；探針卡本身不產生完整電性測試。
→配套分析與量測TS200-SE 晶圓低雜訊與溫度探測平台MPI Corporation· 可協助回答：控制接觸、屏蔽與 chuck 溫度，搭配外部儀器確認低電流測值；chuck 溫度不直接等於接面溫度。
→配套分析與量測FP3000W 框架式晶圓探針測試機Tokyo Seimitsu (ACCRETECH)· 可協助回答：對照留在切割 frame 的元件座標與探針接觸；需搭配測試頭，不能由座標修正直接判定埋藏開路。
→下一步：確認工程條件用 4 個關鍵條件調整評估順序，再選擇要比較的方案。
進入工程條件 →