DW-3100 晶粒位移補償直接曝光

SCREEN Semiconductor Solutions · 製程設備與溫度控制

方案用途: Fan-out 晶粒位移後，需評估 RDL 曝光圖形能否配合實際晶粒位置與基板變形。
技術方式: DW-3100 以 GLV 無光罩直接曝光，透過影像處理辨識翹曲、變形與晶粒位置，調整逐晶圓／晶粒曝光。
適用範圍: 原廠定位於先進封裝，支援晶圓與方形面板；實際尺寸、光阻及可補償窗口待確認。
限制與待確認事項: 以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界
解像度不等於 overlay 精度或補償範圍；發表資料未提供通用數值。曝光補償不會移回晶粒，仍須驗證實際 RDL 對位與連線。
評估準備
BLNKK 建議整理位移／旋轉分布、基板變形、對位標記、光阻疊層及 RDL 尺寸／對位目標。
向供應商確認
請確認支援尺寸、位置量測與曝光串接、光阻窗口、補償範圍及驗收方法，再安排代表性樣品曝光與量測。
公開依據: 2025 年 12 月 3 日官方發表資料說明上述補償功能，並宣稱更新光學系統可達 1 µm 以下解像度。

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