JEM-F200 IMC 薄片微結構分析

JEOL · 工程量測與失效分析

方案用途: 分析 IMC 附近破裂時，可觀察局部微結構與元素分布，補充界面失效的證據。
技術方式: JEM-F200 以 TEM／STEM 觀察薄片，配置 EDS 選配時可進行元素分析與分布量測。
適用範圍: 適用於已製備的電子透明薄片；IMC 界面用途需先確認取樣位置、製片方式與分析配置。
限制與待確認事項: 以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界
薄片只代表取樣區域，製片偏差及電子束影響需納入判讀；元素分布不能單獨證明破裂機制、焊點強度或壽命。
評估準備
BLNKK 建議整理原始破裂座標、界面疊層、製片紀錄與待分析元素，並保留電性、截面及製程背景資料。
向供應商確認
確認薄片與載具是否適用、EDS 等選配及分析條件，並議定如何辨識製片或束流造成的變化。
公開依據: JEOL 官方頁列出 TEM／STEM、EDS 選配、FIB 薄片轉移流程及半導體元件分析範例。

聯絡供應商

查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。