PHEMOS-X 半導體漏電位置分析
Hamamatsu Photonics · 工程量測與特性分析
- 方案用途
- 漏電可重現後，需要縮小實體失效分析的取樣範圍。
- 技術方式
- PHEMOS-X 依配置偵測微弱發光或熱訊號，並與圖案影像對位。
- 適用範圍
- 供半導體故障定位；須配合可重現的電性刺激、光學可達性及適合的偵測配置。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界偵測能力隨樣品與配置而變；訊號定位不直接量得 TSV 絕緣襯層深度，也不證明失效根因。
評估準備BLNKK 建議準備漏電曲線、偏壓條件、樣品與金屬層資訊，規劃良品對照及後續截面取樣。
向供應商確認確認適合的偵測器、光路、偏壓與探針安排，以及是否需雷射或 TD 選配；以實樣確認訊號可辨識程度。
- 公開依據
- 原廠頁面與 2025 年 7 月型錄說明發光、熱鎖相及選配雷射／TD 成像方法。
補充參考資料
聯絡供應商
查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。
相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。