Sentaurus Interconnect 製程歷程與互連應力可靠度模擬
互連會在沉積、熱處理與冷卻等步驟累積應力,需要把製程歷程納入局部裂紋、分離或空洞風險分析。
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查看聯絡資訊 ↓應用範圍: TSV/BEOL/microbump/solder joint/CPI · Chiplet/UCIe · D2D/封裝電性通道 · RDL 接觸材料研究
互連會在沉積、熱處理與冷卻等步驟累積應力,需要把製程歷程納入局部裂紋、分離或空洞風險分析。
針對隨溫度變化的晶粒間連結錯誤,取得可重複比對的 lane 裕量與測試紀錄。
D2D 訊號裕度評估,需要可對照的驅動端、通道及接收端模型。
接觸電阻偏高時,可用原子模型比較材料與介面結構的影響,再與實際接點量測對照。
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