功率循环测试中热阻持续升高
同步追踪热、电与影像指标，区分芯粒接合层、互连与外部热界面。
IGBT／SiC 功率模块整体热路径 · 主动功率循环与中断检查54 类工程问题从可观察的现象开始
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工程问题11
操作负载／功率循环／暂态
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Chiplet 芯粒间互连随温度变化出现通道错误
先确认 lane 诊断可见性，再分离电性裕量与封装实体互连变化。
已组装 chiplet die-to-die lane／PHY／channel · 受控温度与速率操作微凸点或铜柱高电流下压降与渐进性电阻劣化
对齐电流、温度与位置化电性，再分开做 EM／IR 分析和物理失效定位。
微凸点／铜柱与跨层供电互连 · 高电流／高温操作及时间应力HBM 堆叠热耦合与各层温度
先把功率来源、可见温度、共同边界与时间对齐，再比较分层热路径与可重播负载对照。
HBM 多层芯粒及相邻逻辑芯粒热路径 · 工作负载切换及稳态／瞬态操作TSV 周边应力与禁布区设计
把 TSV 周边硅的校准测量、热基线、本叠层模型与器件反应对准，仅做相对材料／布局比较。
TSV 周边硅与邻近有源器件 · 热退火、操作及设计布局验证功率器件键合线脱离与线弧根部疲劳
先把电性漂移与键合点／线弧根部的局部证据对准，再比较键合记录和实际热／机械负荷；整体热阻与单次拉力值不能代替引线键合疲劳模式。
功率模块引线键合接点与线弧根部 · 功率循环或机械疲劳后已确认问题范围？再依六个技术方向探索
技术方向是后续方法筛选，不代表标准解法或样品适用性。
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