薄膜／介面熱參數量測可行性詢問
原廠列薄膜方向性導熱與介面熱阻的 TDTR 量測，並說明轉換層等樣品準備。 官方先進封裝頁區分晶粒熱影像、介面熱阻與深度相關熱分析。
所需資料、限制與來源
所需資料
實際堆疊、層厚、材料方向性及光學／取樣可達性；轉換層與樣品準備對目標介面的影響；暫態資料、敏感度、校正樣與量測不確定度；混合鍵合子情境：Cu 面積率、接合／退火履歷，以及電性與空洞對照
主要限制
核對模組、光學與轉換層、實際堆疊敏感度及可交付的不確定度；不能由 NT220 品名推定所有 TDTR 模組已具備。；原廠能力主張需核對本堆疊的光學可達、轉換層、敏感度、參數可辨識性及不確定度；不等於任意埋藏介面都可直接測到。；此為供應商資料，不是本樣品根因或效能驗證；需用控制組與獨立資料核對。
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官方技術摘要已核對 · 原廠能力主張需核對本堆疊的光學可達、轉換層、敏感度、參數可辨識性及不確定度；不等於任意埋藏介面都可直接測到。
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官方技術摘要已核對 · 此為供應商資料，不是本樣品根因或效能驗證；需用控制組與獨立資料核對。