FC300 高精度高壓力 flip-chip bonder
細間距晶粒接合需要共同控制對位、平行度、接合力與熱歷程,才能比較接點偏移或接合不均的製程因素。
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應用範圍: 3D 整合/記憶體堆疊/矽光子/感測器 · 接合前金屬/介電表面 · Die-to-wafer/substrate direct hybrid
細間距晶粒接合需要共同控制對位、平行度、接合力與熱歷程,才能比較接點偏移或接合不均的製程因素。
比較接合前的有機殘留、表面活化與氧化層處理條件。
直接或混合接合需要比較晶粒放置與接合後位移,確認整片晶圓的 overlay 分布。
以下候選方案已收錄於工程問題流程,可接續查看條件、來源與比較內容。
透過以下官方管道,自行聯絡供應商。
此處為法國 Smart Equipment Technology 精密接合設備原廠。台灣 DKSH 與美國 SETNA 為官方名錄所列代理商,中國大陸北京窗口為子公司。 官方來源 ↗
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