S-SWIFT 有机 RDL 扇出基板异构集成
多芯片与存储器集成需要高密度、短距离芯片互连,同时要在封装尺寸、电性能、成本及热机械行为之间权衡。
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多芯片与存储器集成需要高密度、短距离芯片互连,同时要在封装尺寸、电性能、成本及热机械行为之间权衡。
通过堆叠封装集成逻辑、存储及其他器件,在有限占板面积内处理互连与封装单体翘曲。
功率器件需要比较铜夹片与线键合配置,并核对电性能、散热及封装外形要求。
比较 BGA 板级温度循环损伤,结合失效分析建立可追溯的测试证据。
芯粒间信号裕量不足时,可结合封装模型与电性测量,评估封装路径对信号及电源完整性的影响。
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