先进封装故障定位与根因分析
针对先进封装异常或间歇性失效,结合电气和封装完整性证据,逐步定位可能的失效机理。
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查看联系信息 ↓应用范围: 3D package/WLCSP/flip-chip/组装故障 · 接合前外露铜/介电表面 · 脱载后原始表面 · RDL 外露目标区 · 接合材料/代表性取样
针对先进封装异常或间歇性失效,结合电气和封装完整性证据,逐步定位可能的失效机理。
比较清洗及等待条件对接合前表面化学的影响,补充形貌测量无法回答的成分问题。
协助识别解键合后表面残留的分子与元素信号,对照可能的材料来源。
对照 RDL 异常线间位置的元素分布,协助调查疑似 seed/barrier 残留。
确认代表性连接材料的晶相,补充脆性断裂调查中的截面与断裂位置证据。
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