Chiplet 瞬態電源 droop
先分開封裝腳位與晶粒端 rail，再對位負載／電壓瞬態及探棒限制；去耦與供電網路比較需要實際邊界，慢速阻值或 lane error 不能代 droop 證據。
封裝 PDN rail、去耦與供電迴路 · 工作負載快速切換與同步波形量測54 類工程問題從可觀察的現象開始
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一個問題可能對應多種現象。
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符合篩選
工程問題4
PDN／RF／Interposer／屏蔽
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封裝電磁耦合與屏蔽窗口
先對位封裝源、受擾節點與操作頻段，再用重複近場幾何比較回流／屏蔽；近場讀值是相對定位，不能驗證發射限值或抗擾資格。
封裝輻射源、受擾節點與屏蔽接地 · 電磁相容性量測與操作RF 封裝轉接與插入損耗
先確認單一被動 RF 路徑、端口／頻段與可用治具模型，再比較實際轉接及材料疊構；port extension 不能代 loss／mismatch 去除，S21 也不能單獨定位材料根因或鄰線串擾。
RF 封裝 transmission line、轉接與端口 · 被動 coupon 或封裝 S-parameter 驗證Interposer 佈線串擾與隔離
先辨認被動 aggressor／victim、端口與終端，再用多端口耦合觀察對照實際佈線／回流模型；孤立 S21 或 active PHY link fail 不能代 NEXT／FEXT 及模型吻合。
interposer 相鄰 aggressor／victim 被動互連 · 佈線設計及被動多端口驗證已確認問題範圍？再依六個技術方向探索
技術方向是後續方法篩選，不代表標準解法或樣品適用性。
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