混合键合后局部空洞
比对缺陷位置与接合前后资料，区分颗粒、平坦度、晶圆翘曲与接合条件。
Cu／介电层混合键合界面 · 接合后或退火后检查54 类工程问题从可观察的现象开始
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工程问题42
工艺设备和窗口控制
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Fan-out／面板塑封后芯粒位移与 RDL 对准失败
对齐塑封前后的芯粒坐标，分开评估位移补偿、翘曲与重布线对位。
重构晶圆／面板内芯粒位置 · 塑封前后至 RDL 对位大型多芯粒底部填充胶空洞与固化后分层
分开检查流动填充、固化与界面完整性，避免以材料宣称取代缺陷验证。
芯粒下方毛细底部填充胶流路与聚合物界面 · 填充、固化及后续对照封装基板堆叠微孔回流焊后间歇性开路
用温度历程中的连续性资料定位弱界面，避免只靠室温截面放行。
有机封装基板堆叠微孔与目标焊盘界面 · 回流焊热历程及恢复室温HBM 微凸点热压接合未润湿、冷接或开路
把接点缺陷图与热、压力、倾斜记录对齐，再判断接合窗口或表面处理。
HBM 热压键合微凸点接点 · 逐 die TCB 接合后检查超薄晶圆背磨、搬运或解键合后崩边与开裂
用分阶段检查定位损伤形成点，再分开评估研磨伤层、切割流程与临时载体。
受载体支撑的超薄硅晶圆／芯粒 · 背磨、搬运、分割与解键合已确认问题范围？再依六个技术方向探索
技术方向是后续方法筛选，不代表标准解法或样品适用性。
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