Fan-out 面板翘曲与吸附搬运窗口
用自由／支撑形貌和实际载入记录配对，先比较吸附搬运，再审查载体与下段相容性。
重构面板及设备吸附／搬运支撑 · 塑封后搬运、曝光与设备载入54 类工程问题从可观察的现象开始
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工程问题9
曝光／电镀／CMP／表面制备
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RDL 制造后线间短路
先确认制造后初始线间短路，再用显影、电镀与 seed 移除三段形貌决定检查顺序。
相邻 RDL 导线与残留导电物 · 曝光、电镀与 seed 移除后首次检查RDL 层间接触初始高电阻
先分出应力前 RDL via 的电阻与测量寄生，再用目标开口／接触界面决定清洁或 seed 对照。
RDL 层间过孔底部与金属接触 · RDL 制造后首次电性验证封装基板微孔填铜内部空洞
先定位组装前微孔填铜本体的空洞／seam，再以孔型与位置分布比较前处理和电镀履历。
有机封装基板微孔电镀铜内部 · 填铜制造后至组装前混合键合前表面接合条件确认
以接合前自有窗口、多尺度形貌、颗粒覆盖及化学等待记录，整理放行、返工或保留的可追溯证据。
尚未接合的 Cu／介电层表面 · CMP、清洁、活化后接合前TSV 填铜缝隙与空洞
以硅中深孔铜体的沿深度分布，分开 seed／wetting 与 bath／flow 对照；后段 reveal 或接合界面另保留。
硅中 TSV 孔内电镀铜 · 深孔填铜与后续 CMP 前后已确认问题范围？再依六个技术方向探索
技术方向是后续方法筛选，不代表标准解法或样品适用性。
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