FOCoS 高密度扇出芯片基板封装
大型 AI／HPC 多芯片封装需要密集芯片互连，并兼顾封装厚度、电性能、翘曲和组装条件。
ASE
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- FOCoS 高密度扇出芯片基板封装 · 封装结构与变形补偿
- ASE FOPoP 扇出型堆叠封装 · 封装结构与变形补偿
应用范围: AI／HPC／ML／ASIC＋HBM · 扇出型垂直封装集成 · 微凸块缺陷定位与取样 · 面板自由／支撑形貌基准
目录中的方案 · 4
ASE FOPoP 扇出型堆叠封装
比较堆叠封装架构和材料选择，评估互连需求与高温翘曲之间的取舍。
ASE 微凸块及封装失效分析服务
定位微凸块冷接、桥接等疑似缺陷，取得成像与取样证据辅助失效判断。
ASE 应力与热特性测量服务
面板搬运评估，需要工艺时点和支撑状态一致的翘曲／形貌对照。
工程问题中的候选方案
以下候选方案已收录于工程问题流程，可继续查看条件、来源和比较内容。
- ASE FOPoP 扇出型堆叠封装 · 大型 2.5D FCBGA 冷却阶段翘曲反转 →
- FOCoS 高密度扇出芯片基板封装 · 大型 2.5D FCBGA 冷却阶段翘曲反转 →
- 电性定位后的 RDL 目标物理分析 · 细线多层 RDL 热循环后出现裂纹或间歇性开路 →
- FOCoS 细线 RDL 翘曲与应力模型参考 · 细线多层 RDL 热循环后出现裂纹或间歇性开路 →
- 微凸点 cold joint／void／bridge 目标分析 · HBM 微凸点热压接合未润湿、冷接或开路 →
- ASE 微凸块及封装失效分析服务 · HBM 微凸点热压接合未润湿、冷接或开路 →
- 位置化电性后的微凸点目标物理分析 · 微凸点或铜柱高电流下压降与渐进性电阻劣化 →
- SAT 与目标截面界面分析评估 · 吸湿封装回流焊后新增分层 →
- ASE 应力与热特性测量服务 · Fan-out 面板翘曲与吸附搬运窗口 →
- 金属桥连／残留目标分析评估 · RDL 制造后线间短路 →
- RDL via 开口／底部目标分析评估 · RDL 层间接触初始高电阻 →
- 漏电目标与界面分析评估 · 封装基板湿热偏压下绝缘漏电 →
- 填铜本体目标分析与取样评估 · 封装基板微孔填铜内部空洞 →
- Pad／电性目标对位分析评估 · 混合键合焊盘错位与电性开路 →
- TSV 深度形貌取样评估 · TSV 填铜缝隙与空洞 →
- TSV 衬层目标截面与材料分析评估 · TSV 绝缘衬层漏电定位 →
- 解键合残留目标表面分析评估 · 临时键合解键合残留与清洗兼容性 →
- IMC 断口／层序目标分析评估 · 焊点 IMC 界面脆性断裂 →
- BGA 分段电性与目标裂纹分析评估 · 板级 BGA 焊点热循环疲劳 →
- 焊盘下板材目标取样评估 · BGA 跌落后焊盘下方基板开裂（pad cratering） →
- 倒装芯片焊料桥接目标分析评估 · 倒装芯片回流焊接点桥连 →
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联系信息
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ASE — Hsinchu Sales
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