TSV 露銅高度與背面共面性
把相對露銅高度與全片形貌分開，再用薄化／reveal 分段圖決定前段、蝕刻或接合前表面需求。
薄化後 TSV 露銅與背面接合表面 · 背面 reveal 至金屬／接合前54 類工程問題從可觀察的現象開始
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工程問題4
TSV／矽通孔與絕緣層
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TSV 填銅 seam 與空洞
以矽中深孔銅體的沿深度分布，分開 seed／wetting 與 bath／flow 對照；後段 reveal 或接合介面另保留。
矽中 TSV 孔內電鍍銅 · 深孔填銅與後續 CMP 前後TSV 周邊應力與 keep-out 佈局
把 TSV 周邊矽的校準量測、熱基線、本堆疊模型與器件反應對位，僅做相對材料／佈局比較。
TSV 周邊矽與鄰近主動元件 · 熱退火、操作及設計佈局驗證TSV 絕緣 liner 漏電定位
先確認 TSV-to-silicon bulk 拓樸、聚合幾何與低電流背景，再以未擊穿對照比較 liner 深度和製程污染。
TSV 銅與矽間的絕緣 liner · 成孔、liner／填銅後及偏壓驗證已確認問題範圍？再依六個技術方向探索
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