混合键合后局部空洞
比对缺陷位置与接合前后资料，区分颗粒、平坦度、晶圆翘曲与接合条件。
Cu／介电层混合键合界面 · 接合后或退火后检查54 类工程问题从可观察的现象开始
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工程问题24
可靠性验证和失效分析
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功率循环测试中热阻持续升高
同步追踪热、电与影像指标，区分芯粒接合层、互连与外部热界面。
IGBT／SiC 功率模块整体热路径 · 主动功率循环与中断检查Chiplet 芯粒间互连随温度变化出现通道错误
先确认 lane 诊断可见性，再分离电性裕量与封装实体互连变化。
已组装 chiplet die-to-die lane／PHY／channel · 受控温度与速率操作大型多芯粒底部填充胶空洞与固化后分层
分开检查流动填充、固化与界面完整性，避免以材料宣称取代缺陷验证。
芯粒下方毛细底部填充胶流路与聚合物界面 · 填充、固化及后续对照多芯粒封装散热盖接触不均与局部热点
先分离热源分布与 TIM 接触条件，再比较薄界面材料与散热路径。
TIM1／TIM2 与散热盖接触界面 · 初始组装及受控接触复验封装基板堆叠微孔回流焊后间歇性开路
用温度历程中的连续性资料定位弱界面，避免只靠室温截面放行。
有机封装基板堆叠微孔与目标焊盘界面 · 回流焊热历程及恢复室温已确认问题范围？再依六个技术方向探索
技术方向是后续方法筛选，不代表标准解法或样品适用性。
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