混合键合后局部空洞
比对缺陷位置与接合前后资料，区分颗粒、平坦度、晶圆翘曲与接合条件。
Cu／介电层混合键合界面 · 接合后或退火后检查54 类工程问题从可观察的现象开始
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工程问题19
设计／初始检查／电性与多端口验证
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功率循环测试中热阻持续升高
同步追踪热、电与影像指标，区分芯粒接合层、互连与外部热界面。
IGBT／SiC 功率模块整体热路径 · 主动功率循环与中断检查HBM 微凸点热压接合未润湿、冷接或开路
把接点缺陷图与热、压力、倾斜记录对齐，再判断接合窗口或表面处理。
HBM 热压键合微凸点接点 · 逐 die TCB 接合后检查BGA 焊球与焊膏未融合造成开路
先分清未融合接合面，再把回流焊热几何、供料／贴装与润湿分成可比较的对照。
封装焊球与板端焊膏接合面 · 板级回流焊后首次电测RDL 制造后线间短路
先确认制造后初始线间短路，再用显影、电镀与 seed 移除三段形貌决定检查顺序。
相邻 RDL 导线与残留导电物 · 曝光、电镀与 seed 移除后首次检查RDL 层间接触初始高电阻
先分出应力前 RDL via 的电阻与测量寄生，再用目标开口／接触界面决定清洁或 seed 对照。
RDL 层间过孔底部与金属接触 · RDL 制造后首次电性验证已确认问题范围？再依六个技术方向探索
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