功率循環測試中熱阻持續上升
同步追蹤熱、電與影像指標，區分晶粒接合層、互連與外部熱介面。
IGBT／SiC 功率模組整體熱路徑 · 主動功率循環與中斷檢查54 類工程問題從可觀察的現象開始
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一個問題可能對應多種現象。
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符合篩選
工程問題11
操作負載／功率循環／暫態
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Chiplet die-to-die 互連在溫度變化後出現 lane 錯誤
先確認 lane 診斷可見性，再分離電性裕量與封裝實體互連變化。
已組裝 chiplet die-to-die lane／PHY／channel · 受控溫度與速率操作微凸塊或銅柱在高電流下出現 IR drop 與漸進電阻劣化
對齊電流、溫度與位置化電性，再分開做 EM／IR 分析和物理失效定位。
微凸塊／銅柱與跨層供電互連 · 高電流／高溫操作及時間應力HBM 堆疊熱耦合與分層溫度
先把功率來源、可見溫度、共同邊界與時間對齊，再比較分層熱路徑與可重播負載對照。
HBM 多層晶粒及相鄰邏輯晶粒熱路徑 · 工作負載切換及穩態／暫態操作TSV 周邊應力與 keep-out 佈局
把 TSV 周邊矽的校準量測、熱基線、本堆疊模型與器件反應對位，僅做相對材料／佈局比較。
TSV 周邊矽與鄰近主動元件 · 熱退火、操作及設計佈局驗證功率 wirebond lift 與 heel 疲勞
先把電性漂移與 wire-foot／heel 的局部證據對位，再比較 bonding 紀錄和實際熱／機械負荷；整體熱阻與單次 pull 力值不能代線焊疲勞模式。
功率模組線焊接點與 heel · 功率循環或機械疲勞後已確認問題範圍？再依六個技術方向探索
技術方向是後續方法篩選，不代表標準解法或樣品適用性。
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