先進封裝失效隔離與根因分析
針對先進封裝的異常或間歇性失效,從電性與封裝完整性證據逐步定位可能的失效機制。
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針對先進封裝的異常或間歇性失效,從電性與封裝完整性證據逐步定位可能的失效機制。
比較清洗與等待條件對接合前表面化學的影響,補充形貌量測無法回答的成分問題。
協助辨識脫載後表面殘留的分子與元素訊號,對照可能的材料來源。
對照 RDL 異常線間位置的元素分布,協助調查疑似 seed/barrier 殘留。
確認代表性接合材料的晶相,補充脆性破裂調查中的截面與破裂位置證據。
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