CTI｜華測檢測

以含水履歷及回焊前後介面對照研究分層。

需記錄預處理、乾燥與回焊條件；單次超音波影像不能判斷分層何時形成。

比較供膠、毛細流動、固化與介面檢查結果。

先辨識缺陷出現階段；材料或設備能力不等於已證明無空洞。

以測試介面、溫控、程式或燒機服務研究應力下異常。

需定義 DUT、接觸、實際結溫與功能覆蓋；MOSFET 參數可靠度不是完整系統功能測試。

以剪切、截面與破面分析區分失效位置。

需保留載入方式與斷裂位置；強度數值不能單獨辨識 IMC 脆裂。

將回焊前後電阻漂移與微孔截面對照。

需能定位間歇性開路；一般截面或元件測試不能單獨證明微孔壽命。