混合鍵合後出現局部空洞
比對缺陷位置與接合前後資料，區分顆粒、平坦度、晶圓翹曲與接合條件。
Cu／介電層混合鍵合介面 · 接合後或退火後檢查54 類工程問題從可觀察的現象開始
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一個問題可能對應多種現象。
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符合篩選
工程問題42
製程設備與窗口控制
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Fan-out／Panel 封模後晶粒位移與 RDL 對位失敗
對齊封模前後的晶粒座標，分開評估位移補償、翹曲與重佈線對位。
重構晶圓／面板內晶粒位置 · 封模前後至 RDL 對位大型多晶粒底部填膠出現空洞與固化後分層
分開檢查流動填充、固化與介面完整性，避免以材料宣稱取代缺陷驗證。
晶粒下方毛細底部填膠流路與聚合物介面 · 填充、固化及後續對照有機載板堆疊微孔回焊後出現間歇性開路
用溫度歷程中的連續性資料定位弱介面，避免只靠室溫截面放行。
有機載板堆疊微孔與目標焊墊介面 · 回焊熱歷程及恢復室溫HBM 微凸塊熱壓接合出現 non-wet、冷接或開路
把接點缺陷圖與熱、壓力、傾斜紀錄對齊，再判斷接合窗口或表面處理。
HBM 熱壓接合微凸塊接點 · 逐 die TCB 接合後檢查超薄晶圓背磨、搬送或脫載後出現崩邊與裂片
用分階段檢查定位損傷形成點，再分開評估研磨傷層、切割流程與臨時載具。
受載具支撐的超薄矽晶圓／晶粒 · 背磨、搬送、分割與脫載已確認問題範圍？再依六個技術方向探索
技術方向是後續方法篩選，不代表標準解法或樣品適用性。
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