混合鍵合後出現局部空洞
比對缺陷位置與接合前後資料，區分顆粒、平坦度、晶圓翹曲與接合條件。
Cu／介電層混合鍵合介面 · 接合後或退火後檢查54 類工程問題從可觀察的現象開始
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一個問題可能對應多種現象。
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符合篩選
工程問題20
接合介面／填膠／密封膠
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大型多晶粒底部填膠出現空洞與固化後分層
分開檢查流動填充、固化與介面完整性，避免以材料宣稱取代缺陷驗證。
晶粒下方毛細底部填膠流路與聚合物介面 · 填充、固化及後續對照多晶粒封裝散熱蓋接觸不均造成局部熱點
先分離熱源分布與 TIM 接觸條件，再比較薄介面材料與散熱路徑。
TIM1／TIM2 與散熱蓋接觸介面 · 初始組裝及受控接觸複驗HBM 微凸塊熱壓接合出現 non-wet、冷接或開路
把接點缺陷圖與熱、壓力、傾斜紀錄對齊，再判斷接合窗口或表面處理。
HBM 熱壓接合微凸塊接點 · 逐 die TCB 接合後檢查BGA 球與焊膏未融合開路
先分清未融合接合面，再把回焊熱幾何、供料／貼裝與潤濕分成可比較的對照。
封裝焊球與板端焊膏接合面 · 板級回焊後首次電測TSV 露銅高度與背面共面性
把相對露銅高度與全片形貌分開，再用薄化／reveal 分段圖決定前段、蝕刻或接合前表面需求。
薄化後 TSV 露銅與背面接合表面 · 背面 reveal 至金屬／接合前已確認問題範圍？再依六個技術方向探索
技術方向是後續方法篩選，不代表標準解法或樣品適用性。
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